[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体集成电路器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供具有第一主表面和第二主表面的半导体晶片，其中所述第一主表面具有多个芯片区域，所述芯片区域包括存储器区域和非存储器区域；

(b)在所述半导体晶片的第一主表面之上形成栅极叠置膜，所述栅极叠置膜具有下层高k栅极绝缘膜和上层栅极金属电极膜；

(c)在所述栅极叠置膜之上形成第一抗蚀剂膜，所述第一抗蚀剂膜用于限定在所述存储器区域中的栅极电极的延伸方向上的相邻栅极电极之间的切割区域；

(d)执行对所述第一抗蚀剂膜的构图，以形成与相邻栅极电极之间的所述切割区域对应的抗蚀剂膜开口；

(e)在存在已构图的第一抗蚀剂膜的情况下，执行对所述栅极叠置膜的刻蚀；

(f)在所述步骤(e)之后，去除所述第一抗蚀剂膜；

(g)在所述步骤(f)之后，在所述半导体晶片的第一主表面之上，形成第二抗蚀剂膜，所述第二抗蚀剂膜用于限定与所述存储器区域中的栅极电极对应的线和空间图案；

(h)执行对所述第二抗蚀剂膜的构图；

(i)在存在已构图的第二抗蚀剂膜的情况下，执行对所述栅极叠置膜的刻蚀；以及

(j)在所述步骤(i)之后，去除所述第二抗蚀剂膜。

2.根据权利要求1所述的制造半导体集成电路器件的方法，

其中在所述第一抗蚀剂膜和所述第二抗蚀剂膜的每一个与所述栅极叠置膜之间不存在硬掩模膜。

3.根据权利要求1所述的制造半导体集成电路器件的方法，

其中所述步骤(g)中的第二抗蚀剂膜还用于限定与所述非存储器区域中的栅极电极对应的线和空间图案。

4.根据权利要求2所述的制造半导体集成电路器件的方法，

其中相邻栅极电极之间的所述切割区域处于隔离区域中。

5.根据权利要求2所述的制造半导体集成电路器件的方法，

其中所述第一抗蚀剂膜和所述第二抗蚀剂膜的每一个为多层抗蚀剂膜。

6.根据权利要求5所述的制造半导体集成电路器件的方法，

其中所述步骤(e)包括以下子步骤：

(e1)执行用于减小所述抗蚀剂膜开口的处理；以及

(e2)在所述子步骤(e1)之后，执行对所述抗蚀剂膜开口之下的所述栅极叠置膜的各向异性干法刻蚀。

7.根据权利要求6所述的制造半导体集成电路器件的方法，

其中所述步骤(i)包括以下子步骤：

(i1)执行用于减小已构图的第二抗蚀剂膜的宽度的处理；以及

(i2)在所述子步骤(i1)之后，执行对未覆盖有所述第二抗蚀剂膜的所述栅极叠置膜的部分的各向异性干法刻蚀。

8.根据权利要求1所述的制造半导体集成电路器件的方法，

其中通过使用在193nm处曝光的ArF光刻执行所述步骤(d)和(h)的每一个中的构图。

9.根据权利要求5所述的制造半导体集成电路器件的方法，

其中所述第一抗蚀剂膜和所述第二抗蚀剂膜中的每一个具有：

(x1)下层抗蚀剂膜，包含碳作为主要组分；

(x2)中间层抗蚀剂膜，形成在所述下层抗蚀剂膜之上，并且包含硅作为主要组分；以及

(x3)上层抗蚀剂膜，形成在所述中间层抗蚀剂膜之上。

10.根据权利要求5所述的制造半导体集成电路器件的方法，

其中所述第二抗蚀剂膜具有：

(x1)下层涂覆抗蚀剂膜，包含碳作为主要组分；

(x2)中间层抗蚀剂膜，形成在所述下层抗蚀剂膜之上，并且包含硅作为主要组分；以及

(x3)光敏性上层抗蚀剂膜，形成在所述中间层抗蚀剂膜之上。