[发明专利]有机发光显示结构及有机发光显示器无效
申请号: | 201210084172.2 | 申请日: | 2012-03-23 |
公开(公告)号: | CN102623486A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 徐伟伦;谢信弘 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;王颖 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 结构 显示器 | ||
1.一种有机发光显示结构,设置于一基板上,其特征在于,包括:
一主动元件,设置于该基板上,该主动元件包括一栅极、一源极、一漏极以及一氧化物通道层;
一第一绝缘层,设置于该基板上,并覆盖该主动元件;
一氧化镁层,设置于该第一绝缘层上,并覆盖该主动元件的该氧化物通道层,该氧化镁层具有一第一开口,暴露出部分该第一绝缘层;以及
一有机发光单元,设置于该基板上,且设置于该氧化镁层的该第一开口内,该有机发光单元包括一第一电极、一第二电极以及一发光层,该发光层位于该第一电极与该第二电极之间,且该第一电极经过该第一绝缘层电性连接该主动元件的该漏极。
2.如权利要求1所述的有机发光显示结构,其特征在于,其中该氧化镁层的该开口至少暴露出该有机发光单元的该发光层所在面积。
3.如权利要求1所述的有机发光显示结构,其特征在于,其中该发光单元位于该第一绝缘层上且远离该基板的一侧,且该第一绝缘层具有一接触开口,该接触开口暴露出该主动元件的该漏极以使该第一电极透过该接触开口电性连接于该漏极。
4.如权利要求1所述的有机发光显示结构,其特征在于,更包括一第二绝缘层,设置于该基板上位于该第一绝缘层远离该基板的一侧。
5.如权利要求4所述的有机发光显示结构,其特征在于,其中该氧化镁层位于该第二绝缘层与该第一绝缘层之间。
6.如权利要求4所述的有机发光显示结构,其特征在于,更包括一中间绝缘层,位于该氧化镁层与该第一绝缘层之间。
7.如权利要求1所述的有机发光显示结构,其特征在于,更包括一栅极绝缘层,设置于该氧化物通道层与该栅极之间。
8.如权利要求7所述的有机发光显示结构,其特征在于,其中该源极至少一部份位于该氧化物通道层与该栅极绝缘层之间且该漏极至少一部份位于该氧化物通道层与该栅极绝缘层之间。
9.如权利要求1所述的有机发光显示结构,其特征在于,更包括一蚀刻阻挡图案,设置于该氧化物通道层远离该基板的一侧并位于该源极与该漏极之间。
10.如权利要求1所述的有机发光显示结构,其特征在于,其中该漏极至少一部份位于该氧化物通道层与该第一绝缘层之间以及该源极至少一部份位于该氧化物通道层与该第一绝缘层之间。
11.如权利要求1所述的有机发光显示结构,其特征在于,其中该氧化镁层的厚度≥300nm,且该厚度≤7mm。
12.如权利要求1所述的有机发光显示结构,其特征在于,其中该第一绝缘层具有一第二开口,连接该氧化镁层的该第一开口,且该有机发光单元设置于该第二开口内。
13.如权利要求1所述的有机发光显示结构,其特征在于,其中该氧化物通道层的材质包括铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及其组合。
14.一种有机发光显示器,其特征在于,包括:
一基板;
多个主动元件,设置于该基板上,每一该主动元件包括一栅极、一源极、一漏极以及一氧化物通道层;
一第一绝缘层,设置于该基板上,并覆盖这些主动元件;
一氧化镁层,设置于该第一绝缘层上,并覆盖这些主动元件的这些氧化物通道层,该氧化镁层具有多个第一开口,暴露出部分该第一绝缘层;以及
多个有机发光单元,设置于该基板上,且分别设置于该氧化镁层的该第一开口内,每一该有机发光单元包括一第一电极、一第二电极以及一发光层,该发光层位于该第一电极与该第二电极之间,且每一该第一电极经过该第一绝缘层分别电性连接该主动元件的该漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的