[发明专利]有机发光显示结构及有机发光显示器

说明书

技术领域

本发明是有关于一种有机发光显示结构及有机发光显示器，且特别是关于一种含有氧化镁层的有机发光显示结构及有机发光显示器。

背景技术

有机发光显示器(Organic light emitting display，OLED)因其自发光、无视角依存、省电、制作过程简易、低成本、低温度操作范围、高应答速度以及全彩化等优点而具有极大的应用潜力，可望成为下一代的平面显示器的主流。

从驱动方式的观点来看，OLED可分为被动矩阵式及主动矩阵式驱动方式两大种类。被动矩阵式OLED结构非常简单且不需要使用薄膜晶体管(Thin film transistor，TFT)驱动，因而成本较低，但其不适用于高解析度画质的应用，而且在朝向大尺寸面板发展时，会产生耗电量增加、元件寿命降低、以及显示性能不佳等的问题。主动矩阵式OLED相较之下可应用于大尺寸的主动矩阵驱动方式，另外，也具备广视角、高亮度、高应答速度的特性。

一般来说，氧化物薄膜晶体管(Oxide thin film transistor；Oxide TFT)具有特殊的载流子传输性质，且无论是在结晶或非晶状态皆能具有高载流子迁移率，故Oxide TFT被广泛应用于制作高效能的电子元件。因此，为了实现高应答速度特性，主动矩阵式OLED内可使用Oxide TFT作为主动元件。

Oxide TFT在结构上的特征主要在于主动元件内的通道层为氧化物。由于氧化物通道层对水、氧非常敏感，任何制作过程的变化或是环境的影响皆可能造成元件的电性与均匀性变差。据此，适当的保护层在氧化物晶体管中扮演十分重要的角色。

发明内容

本发明提供一种有机发光显示结构及有机发光显示器，其利用氧化镁层具有优良阻氧阻水的能力，保护氧化物通道层，降低氧化物通道层受制作过程变异与环境的影响。

本发明提出一种有机发光显示结构，其中有机发光显示结构设置于一基板上，包括一主动元件、一第一绝缘层、一氧化镁层以及一有机发光单元。主动元件设置于基板上，包括一栅极、一源极、一漏极以及一氧化物通道层。第一绝缘层设置于基板上，并覆盖主动元件。氧化镁层设置于第一绝缘层上，并覆盖主动元件的氧化物通道层，氧化镁层具有一第一开口，暴露出部分第一绝缘层。有机发光单元设置于基板上，且设置于氧化镁层的第一开口内，有机发光单元包括一第一电极、一第二电极以及一发光层，发光层位于第一电极与第二电极之间，且第一电极经过第一绝缘层电性连接主动元件的漏极。

在本发明的1实施例中，前述氧化镁层的开口至少暴露出有机发光单元的发光层所在面积。

在本发明的1实施例中，前述发光单元位于第一绝缘层上且远离基板的一侧，且第一绝缘层具有一接触开口，接触开口暴露出主动元件的漏极以使第一电极透过接触开口电性连接于漏极。

在本发明的1实施例中，前述有机发光显示结构，更包括一第二绝缘层，设置于基板上位于第一绝缘层远离基板的一侧。

在本发明的1实施例中，前述氧化镁层位于第二绝缘层与第一绝缘层之间。

在本发明的1实施例中，前述有机发光显示结构更包括一栅极绝缘层，设置于氧化物通道层与栅极之间。

在本发明的1实施例中，前述有机发光显示结构更包括一蚀刻阻挡图案设置氧化物通道层远离基板的一侧并位于源极与漏极之间。

在本发明的1实施例中，前述氧化物通道层至少一部份位于漏极与第一绝缘层之间以及位于源极与栅极绝缘层之间。

在本发明的1实施例中，前述源极至少一部份位于氧化物通道层与栅极绝缘层之间且漏极至少一部份位于氧化物通道层与栅极绝缘层之间。

在本发明的1实施例中，前述氧化镁层的厚度由300nm至7mm。

在本发明的1实施例中，前述第一绝缘层具有一第二开口，连接氧化镁层的第一开口，且有机发光单元设置于第二开口内。

本发明更提出一种有机发光显示器，其包括一基板、多个主动元件、一第一绝缘层、一氧化镁层以及多个有机发光单元，其中多个主动元件设置于基板上，每一主动元件包括一栅极、一源极、一漏极以及一氧化物通道层。第一绝缘层设置于基板上，并覆盖主动元件。氧化镁层设置于第一绝缘层上，并覆盖主动元件的氧化物通道层，氧化镁层具有多个第一开口，暴露出部分第一绝缘层。有机发光单元设置于基板上，且分别设置于氧化镁层的第一开口内，每一有机发光单元包括一第一电极、一第二电极以及一发光层，发光层位于第一电极与第二电极之间，且每一第一电极经过第一绝缘层分别电性连接主动元件的漏极。