[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置

权利要求书

1.一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板之上至少层叠软磁性基底层、控制紧上面的层的取向性的取向控制层、易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在以由两层以上的磁性层构成所述垂直磁性层，且构成各磁性层的结晶粒子与构成所述取向控制层的结晶粒子一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使各层结晶生长时，由CoCr合金形成所述取向控制层，通过采用在溅射气体中混合了氮气的反应溅射形成该取向控制层而使所述CoCr合金中掺杂3～15原子％的范围的氮。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述CoCr合金含有50～80原子％的范围的Co，含有20～50原子％的范围的Cr。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述CoCr合金含有1～10原子％的范围的选自Pt、B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Re中的至少1种以上的元素。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在使构成所述取向控制层的各柱状晶的顶部为凸的凹凸面上，从各柱状晶的最顶部到与相邻的柱状晶的边界的高度为该柱状晶的外径以下。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，使构成所述取向控制层的结晶粒子的粒径为5nm以下。

6.根据权利要求1～5的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在所述取向控制层之上含有Ru层或以Ru为主成分的第2取向控制层。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述磁性层或所述非磁性层具有粒状结构。

8.一种磁记录再生装置，其特征在于，具备：由权利要求1～7的任一项所述的制造方法制造的磁记录介质、和进行对于所述磁记录介质的信息的记录再生的磁头。