[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置

说明书

技术领域

本发明涉及磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置。 

背景技术

作为磁记录再生装置的一种的硬盘装置(HDD)，现在其记录密度在以年率50％以上增加，据说今后其倾向会继续下去。随之在进行适合于高记录密度化的磁记录介质的开发。 

现在市售的磁记录介质再生装置所搭载的磁记录介质是磁性膜内的易磁化轴主要垂直地取向的所谓的垂直磁记录介质。垂直磁记录介质，即使在高记录密度化了时，记录位间的边界区域的反磁场的影响也小，形成鲜明的位边界，因此能够抑制噪声的增加。而且随着高记录密度化的记录位体积的减少较少，因此也抗热摆效应。因此，近年极引人注目，并提出了适合于垂直磁记录介质的介质的结构。 

另外，为了响应磁记录介质更高记录密度化的要求，在研究使用对垂直磁性层的写入能力优异的单磁极磁头。为了对应于这样的单磁极磁头，曾提出了通过在作为记录层的垂直磁性层与非磁性基板之间设置被称作衬里层的软磁性材料构成的层，来提高单磁极磁头与磁记录介质之间的磁通的出入的效率的磁记录介质。 

然而，在上述的垂直磁记录介质中，只简单地设置衬里层时，在记录再生时的记录再生特性、耐热摆性、记录分辨能力方面不能够满足，期望得到这些特性优异的垂直磁记录介质。 

尤其是，在今后的高记录密度化中必需事项是增大作为记录再生特性重要的再生时的信号与噪声之比(S/N比)的高S/N化和耐热摆性的提高的两立。然而，这两项具有相反的关系，因此若提高一方则另一方变得不充分，在高水平下的两立成为重要的课题。 

为了解决这样的课题，曾提出了一种磁记录介质，其特征在于，通过使用非磁性层等使3层的磁性层进行AFC(anti·ferro·coupling)耦合，来获得合成Mrt和PW50降低这样的优点，并且不引起S/N比降低(参照专利文献1)。 

另一方面，为了提高垂直磁记录介质的记录再生特性、热摆特性，曾提出了使用取向控制层形成多层的磁性层，使各磁性层的结晶粒子为连续的柱状晶，由此提高磁性层的垂直取向性的方案。(参照专利文献2)。 

另外，曾提出了使用高压气体溅射成膜出取向控制层的方案(参照专利文献3)。此外，为了进一步提高用作为取向控制层的Ru的取向性，曾提出了使取向控制层为两层结构，初始层部分在低气压下成膜，表面层部分在与初始层部分相比较高的气压下进行成膜的方案(参照专利文献4)。 

另外，已知：由于Ru是在柱状晶的顶部形成拱状的凸部的，因此具有使磁性层的结晶粒子在该凸部上生长，促进生长了的结晶粒子的分离结构，使结晶粒子孤立化，使磁性粒子柱状地生长的效果(参照专利文献5)。 

现有技术文献 

专利文献1：日本特开2005-276410号公报 

专利文献2：日本特开2004-310910号公报 

专利文献3：日本特开平7-244831号公报 

专利文献4：日本特开2004-22138号公报 

专利文献5：日本特开2007-272990号公报 

发明内容

然而，对磁记录介质的高记录密度化的要求不会停止，对磁记录介质在要求比目前更高的特性的提高。具体地讲，为了提高磁记录介质的记录密度，需要使构成上述的取向控制层的结晶微细化，使形成于其上面的柱状结构的磁性粒子微细化。同时，为了维持磁记录介质的高的可靠性，需要提高表面的平坦性并且提高表面的耐擦伤性。 

本发明是鉴于这样的现有状况提出的，其目的在于提供维持垂直磁性 层的高的垂直取向性，能够进一步的高记录密度化的磁记录介质的制造方法和具备采用上述的制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置。 

本发明提供以下的手段。 

(1)一种磁记录介质的制造方法，是在非磁性基板之上至少层叠软磁性基底层、控制紧上面的层的取向性的取向控制层、易磁化轴相对于上述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质的制造方法，其特征在于，在以由2层以上的磁性层构成上述垂直磁性层，且构成各磁性层的结晶粒子与构成上述取向控制层的结晶粒子一同形成沿厚度方向连续的柱状晶的方式使各层结晶生长时，由CoCr合金形成上述取向控制层，通过采用在溅射气体中混合了氮气的反应溅射成膜出该取向控制层来使上述CoCr合金中掺杂3～15原子％的范围的氮。 

(2)根据前项(1)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，上述CoCr合金含有50～80原子％的范围的Co，含有20～50原子％的范围的Cr。