[发明专利]半导体封装结构及其制作方法有效
申请号: | 201210087616.8 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN103137498A | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 潘玉堂;周世文 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/49 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体封装结构的制作方法,包括:
提供一导电基材,该导电基材具有彼此相对的一第一表面与一第二表面;
透过一第一粘着层将一导热块贴附于该导电基材的部分该第二表面上;
对该导电基材的该第一表面进行一半蚀刻步骤,以移除部分该导电基材,而形成一开口于该第一表面;
图案化剩余的该导电基材,以形成多个彼此电性绝缘的引脚,并暴露部分该导热块,其中各该引脚具有一第一部分与一第二部分,该第一部分的厚度大于该第二部分的厚度,且该第一部分的一第一下表面与该第二部分的一第二下表面齐平;
将一芯片配置于被暴露出的部分该导热块上,其中所述多个引脚的所述多个第二部分邻近且环绕该芯片的周围,而该芯片与所述多个引脚的所述多个第二部分电性连接;以及
形成一封装胶体以包覆该芯片、部分所述多个引脚以及部分该导热块。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,任两相邻的所述多个引脚的所述多个第一部分的间距为P1,而任两相邻的所述多个引脚的所述多个第二部分的间距为P2,则0.8P1≤P2≤1.2P1。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,任两相邻的所述多个引脚的所述多个第二部分的间距介于40微米至60微米之间。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,该芯片透过多条焊线与所述多个引脚的所述多个第二部分电性连接。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法,其特征在于,该芯片透过多个凸块与所述多个引脚的所述多个第二部分电性连接。
6.一种半导体封装结构,包括:
一导热块,具有彼此相对的一第一顶面与一第一底面;
多个引脚,配置于该导热块的该第一顶面上,并暴露出部分该第一顶面,所述多个引脚彼此电性绝缘,其中各该引脚具有一第一部分与一第二部分,且该第一部分的厚度大于该第二部分的厚度,而该第一部分的一第一下表面与该第二部分的一第二下表面齐平;
一第一粘着层,配置于所述多个引脚与该导热块之间;
一芯片,配置于该导热块被暴露出的部分该第一顶面上,其中所述多个引脚的所述多个第二部分邻近且环绕该芯片的周围,该芯片与所述多个引脚的所述多个第二部分电性连接;以及
一封装胶体,包覆该芯片、部分所述多个引脚以及部分该导热块。
7.如权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,任两相邻的所述多个引脚的所述多个第一部分的间距为P1,而任两相邻的所述多个引脚的所述多个第二部分的间距为P2,则0.8P1≤P2≤1.2P1。
8.如权利要求7所述的半导体封装结构,其特征在于,任两相邻的所述多个引脚的所述多个第二部分的间距介于40微米至60微米之间。
9.如权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,更包括多条焊线,配置于该芯片与所述多个引脚的所述多个第二部分之间,其中该芯片透过所述多个焊线与所述多个引脚的所述多个第二部分电性连接。
10.如权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,更包括多个凸块,配置于该芯片与所述多个引脚的所述多个第二部分之间,其中该芯片透过所述多个凸块与所述多个引脚的所述多个第二部分电性连接。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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