[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上的第一外延层；

在第一外延层上的第二外延层，在第二外延层的有源区中形成MOSFET；

反T型的STI，形成在第一外延层和第二外延层中，并且包围有源区。

2.如权利要求1的半导体器件，其中，STI在第一外延层中的宽度大于在第二外延层中的宽度。

3.如权利要求2的半导体器件，其中，STI在第一外延层中一部分延伸进入有源区，并且位于第二外延层中源漏区的下方。

4.如权利要求1的半导体器件，其中，第一外延层的材质与衬底和/或第二外延层的材质不同。

5.如权利要求4的半导体器件，其中，第一外延层的材质包括SiGe。

6.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：

在衬底上依次形成第一外延层、第二外延层；

刻蚀第二外延层，形成第二外延层开口；

刻蚀第一外延层，形成第一外延层开口，第一外延层开口与第二外延层开口构成反T型的沟槽；

在反T型的沟槽中填充绝缘材料，形成STI，STI包围的第二外延层构成有源区；

在第二外延层中形成MOSFET。

7.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，第一外延层开口的宽度大于第二外延层开口的宽度。

8.如权利要求7的半导体器件制造方法，其中，STI在第一外延层中一部分延伸进入有源区，并且位于第二外延层中源漏区的下方。

9.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，第一外延层的材质与衬底和/或第二外延层的材质不同。

10.如权利要求9的半导体器件制造方法，其中，第一外延层的材质包括SiGe。

11.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，刻蚀第二外延层的步骤具体包括：

在第二外延层上形成硬掩膜层；

光刻/刻蚀硬掩膜层，直至暴露第二外延层，形成具有硬掩膜层开口的硬掩膜层图形；

以硬掩膜层图形为掩膜，各向异性刻蚀第二外延层，直至暴露

第一外延层，形成第二外延层开口。

12.如权利要求11的半导体器件制造方法，其中，硬掩膜层至少包括氧化物的第一硬掩膜层、以及氮化物的第二硬掩膜层。

13.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，刻蚀第一外延层的步骤采用湿法刻蚀。

14.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，填充绝缘材料包括旋涂玻璃。