[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底包括衬底，形成于衬底上的栅极结构，形成于栅极结构两侧衬底中的掺杂区，覆盖于所述栅极结构和掺杂区上的层间介质层；

图形化所述层间介质层，形成露出所述掺杂区的凹槽；

在所述凹槽的底部和侧壁上沉积介电常数小于掺杂区介电常数的第一材料，形成保型覆盖所述凹槽的第一中间层；

在所述凹槽中形成金属插塞。

2.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，在形成第一中间层的步骤之后，形成金属插塞的步骤之前，还包括：在所述第一中间层上沉积介电常数小于掺杂区介电常数的第二材料，形成保型覆盖所述第一中间层的第二中间层。

3.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，

形成金属插塞的步骤包括：向凹槽中填充金属材料，直至填满所述凹槽，以形成金属插塞；

所述制造方法在向凹槽中填充金属材料的步骤之后，形成金属插塞的步骤之前还包括：通过化学机械研磨去除多余的材料，使金属插塞、第一中间层和层间介质层齐平。

4.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一中间层的厚度小于1nm。

5.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，在所述凹槽的底部和侧壁上沉积第一材料的步骤包括：通过原子层沉积的方法沉积第一材料。

6.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述晶体管为NMOS管，所述第一材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化镧、氧化锶、氧化镁、氧化钪、氧化钕、氧化镝、氧化铪中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述晶体管为PMOS管，所述第一材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钽中的一种或多种。

8.如权利要求2所述的晶体管的制造方法，其特征在于，形成保型覆盖所述第一中间层的第二中间层的步骤包括：通过原子层沉积的方法沉积第二材料。

9.如权利要求2所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二材料包括氮化钽或氮化钛。

10.如权利要求2所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二中间层的厚度小于1nm。

11.如权利要求1所述的晶体管的制造方法，其特征在于，所述金属插塞的材料为钨。

12.一种晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

形成于衬底上的栅极结构；

形成于栅极结构两侧衬底中的掺杂区；

覆盖于所述栅极结构和所述掺杂区上的层间介质层；

形成于层间介质层中露出所述掺杂区的凹槽；

覆盖于所述凹槽底部和侧壁上的第一中间层，所述第一中间层的介电常数小于掺杂区的介电常数；

填充于所述凹槽中的金属插塞。

13.如权利要求12所述的晶体管，其特征在于，还包括：保型覆盖于所述第一中间层上、包围所述金属插塞的第二中间层。

14.如权利要求12所述的晶体管，其特征在于，所述第一中间层的厚度小于1nm。

15.如权利要求12所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管为NMOS管，所述第一中间层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化镧、氧化锶、氧化镁、氧化钪、氧化钕、氧化镝、氧化铪中的一种或多种。

16.如权利要求12所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管为PMOS管，所述第一中间层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钽中的一种或多种。

17.如权利要求13所述的晶体管，其特征在于，所述第二中间层的材料包括氮化钽或氮化钛。

18.如权利要求13所述的晶体管，其特征在于，所述第二中间层的厚度小于1nm。

19.如权利要求12所述的晶体管，其特征在于，所述金属插塞的材料为钨。