[发明专利]一种显示装置、阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板和位于所述基板上的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，

所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层、栅极绝缘层和栅电极，其中，

所述源电极和漏电极在所述基板上相对设置并形成薄膜晶体管的沟道；

所述有源层位于所述源电极、漏电极以及沟道的上方；

所述栅极绝缘层和栅电极依次设置在所述有源层的上方；

所述像素电极位于像素单元中薄膜晶体管之外的区域并延伸至所述漏电极的上方与所述漏电极搭接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层与所述栅极绝缘层的形状和大小一致，并且所述栅绝缘层位于所述有源层的正上方。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极仅与所述漏电极靠近像素电极区域的一部分搭接，所述有源层在漏电极上方的区域一部分直接与漏电极搭接、另一部分通过像素电极与漏电极连接。

4.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体。

5.如权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述栅电极的上方的保护层。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

步骤S1、在基板上通过第一次构图工艺形成包括源电极和漏电极的图形；

步骤S2、在完成步骤S1的基板上通过第二次构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极与所述漏电极搭接；

步骤S3、在完成步骤S2的基板上采用第三次构图工艺形成包括有源层和栅极绝缘层的图形；

步骤S4、在完成步骤S3的基板上采用第四次构图工艺形成包括栅电极的图形。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，步骤S3具体为：

依次沉积有源层和栅极绝缘层薄膜，采用普通掩模板通过一次构图工艺同时形成包括有源层和栅极绝缘层的图形，所述有源层与所述栅极绝缘层的形状和大小一致。

9.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，

在步骤S2中，通过第二次构图工艺使所述像素电极仅与所述漏电极靠近像素电极区域的一部分搭接；

在步骤S3中，通过第三次构图工艺使所述有源层在漏电极上方的区域一部分直接与漏电极搭接、另一部分通过像素电极与漏电极连接。

10.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体。

11.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述步骤S4之后还包括步骤S5，在完成步骤S4的基板上采用第五次构图工艺形成保护层。