[发明专利]一种显示装置、阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。

背景技术

近年来，随着科技的发展，液晶显示器技术也随之不断完善。TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管-液晶显示器)以其图像显示品质好、能耗低、环保等优势占据着显示器领域的重要位置。

人们在享受液晶显示器高品质图像显示的同时，对其大尺寸的要求也不断提高。当液晶显示器的尺寸不断增大时，其驱动电路的频率也需要不断提高，随之非晶硅晶体管的迁移率也要求增大。而现有的非晶硅晶体管的迁移率一般处于0.5cm²/V·S左右，当液晶显示器的尺寸超过80in，驱动频率为120Hz时，则需要1cm²/V·S以上的迁移率来配合，因此，现在非晶硅的迁移率显然很难满足该要求。

采用金属氧化物(如IGZO等)材质制成的有源层的TFT基板由于IGZO等金属氧化物具有迁移率高、均一性好等优点可以更好地满足大尺寸液晶显示器和有源有机电致发光的需求，备受人们的关注，成为最近几年的研究热点。

现有技术中，采用金属氧化物(如IGZO等)材质制成的有源层的TFT基板的结构包括：依次位于玻璃基板上的栅电极层、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极(指源电极和漏电级)层。在形成上述结构中，通常采用湿法刻蚀工艺进行制作。而湿法刻蚀工艺中应用的刻蚀液体一般为H₂SO₄、H₃PO₄或者H₂O₂等。在该酸性刻蚀液体环境中，导致金属氧化物自身很容易被刻蚀，甚至造成过刻蚀，因此，在现有技术中的TFT基板结构中还需要额外添加一个阻挡层，该阻挡层位于有源层上方，用于当应用湿法刻蚀工艺形成源/漏电极时，确保金属氧化物有源层不会被刻蚀液体刻蚀而造成有源层的破坏，从而提高TFT阵列基板的性能。但添加的阻挡层，则需要额外一次单独的光刻工艺来形成，因此，使得TFT阵列基板的制作工艺流程繁琐且增加了液晶显示器的生产成本。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种显示装置、阵列基板及其制作方法，以克服现有的阵列基板为了保护金属氧化物(比如IGZO)有源层不被破坏而需要额外增设一层阻挡层导致的阵列基板制作复杂，生产效率低下且增加了液晶面板等显示装置的生产成本等缺陷。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明一方面提供一种阵列基板，其包括：基板和位于所述基板上的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层、栅极绝缘层和栅电极，其中，

所述源电极和漏电极在所述基板上相对设置并形成薄膜晶体管的沟道；

所述有源层位于所述源电极、漏电极以及沟道的上方；

所述栅极绝缘层和栅电极依次设置在所述有源层的上方；

所述像素电极位于像素单元中薄膜晶体管之外的区域并延伸至所述漏电极的上方与所述漏电极搭接。

进一步地，所述有源层与所述栅极绝缘层的形状和大小一致，并且所述栅绝缘层位于所述有源层的正上方。

进一步地，所述像素电极仅与所述漏电极靠近像素电极区域的一部分搭接，所述有源层在漏电极上方的区域一部分直接与漏电极搭接、另一部分通过像素电极与漏电极连接。

进一步地，所述有源层为氧化物半导体。

进一步地，还包括位于所述栅电极的上方的保护层。

另一方面，本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

再一方面，本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括：

步骤S1、在基板上通过第一次构图工艺形成包括源电极和漏电极的图形；

步骤S2、在完成步骤S1的基板上通过第二次构图工艺形成包括像素电极的图形，所述像素电极与所述漏电极搭接；

步骤S3、在完成步骤S2的基板上采用第三次构图工艺形成包括有源层和栅极绝缘层的图形；

步骤S4、在完成步骤S3的基板上采用第四次构图工艺形成包括栅电极的图形。

进一步地，步骤S3具体为：

依次沉积有源层和栅极绝缘层薄膜，采用普通掩模板通过一次构图工艺同时形成包括有源层和栅极绝缘层的图形，所述有源层与所述栅极绝缘层的形状和大小一致。