[发明专利]一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤：通过构图工艺分别形成包括栅电极、栅线、绝缘层、有机半导体层、阻挡层、源电极、漏电极以及数据线的图形，其特征在于，所述有机半导体层和阻挡层的图形通过一次构图工艺形成。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体为：

1)通过第一次构图工艺在基板上形成包括栅电极与栅线的图形；

2)通过第二次构图工艺在完成步骤1)的基板上形成包括绝缘层、有机半导体层、阻挡层以及栅线接口区域的图形；

3)通过第三次构图工艺在完成步骤2)的基板上形成包括源电极、漏电极以及数据线的图形；

4)通过第四次构图工艺在完成步骤3)的基板上形成包括像素电极、栅线接口区域以及数据线接口区域的图形。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤3)包括：在完成步骤2)的基板上沉积源漏金属薄膜，然后在其上涂敷一层光刻胶，采用掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影，所述光刻胶保留区域对应于形成包括源电极、漏电极以及数据线的图形的区域，再对暴露出来的源漏金属薄膜进行刻蚀，最后将所述光刻胶剥离，形成包括源电极、漏电极以及数据线的图形；

所述步骤4)包括：在完成步骤3)的基板上沉积透明像素电极薄膜，然后在其上涂敷一层光刻胶，采用掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影，所述光刻胶保留区域对应于形成包括像素电极、栅线接口区域以及数据线接口区域图形的区域，再对暴露出来的透明像素电极薄膜进行刻蚀，最后将所述光刻胶剥离，形成包括像素电极、栅线接口区域以及数据线接口区域的图形。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体为：

1)通过第一次构图工艺在基板上形成包括栅电极与栅线的图形；

2)通过第二次构图工艺在完成步骤1)的基板上形成包括绝缘层、有机半导体层、阻挡层以及栅线接口区域的图形；

3)通过第三次构图工艺在完成步骤2)的基板上形成像素电极的图形；

4)通过第四次构图工艺在完成步骤3)的基板上形成包括源电极、漏电极、数据线、栅线接口区域以及数据线接口区域的图形。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步骤3)包括：在完成步骤2)的基板上沉积透明像素电极薄膜，然后在其上涂敷一层光刻胶，采用掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影，所述光刻胶保留区域对应于形成像素电极的图形的区域，再对暴露出来的透明像素电极薄膜进行刻蚀，最后将所述光刻胶剥离，形成像素电极的图形；

所述步骤4)包括：在完成步骤3)的基板上沉积源漏金属薄膜，然后在其上涂敷一层光刻胶，采用掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影，所述光刻胶保留区域对应于形成包括源电极、漏电极、数据线、栅线接口区域以及数据线接口区域图形的区域，再对暴露出来的源漏金属薄膜进行刻蚀，最后将所述光刻胶剥离，形成包括源电极、漏电极、数据线、栅线接口区域以及数据线接口区域的图形。

6.根据权利要求2-5之一所述的制作方法，其特征在于，所述步骤1)包括：在基板上沉积栅金属薄膜，然后在其上涂敷一层光刻胶，采用掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影，所述光刻胶保留区域对应于形成包括栅电极与栅线的图形的区域，再对暴露出来的栅金属薄膜进行刻蚀，最后将所述光刻胶剥离，形成包括栅电极与栅线的图形；所述栅金属薄膜的厚度范围为150nm-300nm，其采用Mo制成，所述栅金属薄膜采用溅射的方法形成。