[发明专利]一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种有机薄膜晶体管(OTFT)阵列基板的制作方法。

背景技术

有机薄膜晶体管(OTFT)是采用有机半导体作为有源层的逻辑单元器件，其与采用无机半导体作为有源层的薄膜晶体管(TFT)相比，一方面制作工艺更为简单，多样，器件的尺寸能够做的更小，集成度更高，也不要求较高的工艺温度，且有机半导体材料易于获得，因而能有效地降低器件的成本，另一方面，由于采用了有机半导体材料，OTFT呈现出非常好的柔韧性，不但耐冲击，而且质量轻，携带方便，因而进一步拓宽了有机晶体管的使用范围。

由于OTFT具有适合大面积加工、适用于柔性基板、工艺成本低等优点，在平板显示、传感器、存储卡、射频识别标签等领域均显现出应用前景。因此，OTFT的研究与开发在国际上受到广泛关注。

现有技术中，OTFT阵列基板一般采用5mask～7mask，即五次～七次构图工艺完成。其中，所述五次构图工艺包括：通过一次构图工艺形成栅电极与栅线的图形的步骤、通过一次构图工艺形成绝缘层、半导体层的图形的步骤、通过一次构图工艺形成阻挡层的图形的步骤、通过一次构图工艺形成源电极、漏电极以及数据线的图形的步骤、通过一次构图工艺形成像素电极的图形的步骤。

由于每次构图工艺均需要把掩模板图形转移到薄膜图形上，且每一层图形都需要精确的覆盖在另一层薄膜图形上，而在OTFT阵列基板的制作过程中，所用到的掩模板的次数越少，则生产效率越高，生产成本越低，因此，如何进一步减少构图工艺的次数，提高生产效率，降低生产成本是行业内亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述问题，提供一种能够进一步减少构图工艺次数的有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案如下：

所述有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括以下步骤：通过构图工艺分别形成包括栅电极、栅线、绝缘层、有机半导体层、阻挡层、源电极、漏电极以及数据线的图形，其中，所述有机半导体层和阻挡层的图形通过一次构图工艺形成。

其中，所述制作方法具体为：

1)通过第一次构图工艺在基板上形成包括栅电极与栅线的图形；

2)通过第二次构图工艺在完成步骤1)的基板上形成包括绝缘层、有机半导体层、阻挡层以及栅线接口区域的图形；

3)通过第三次构图工艺在完成步骤2)的基板上形成包括源电极、漏电极以及数据线的图形；

4)通过第四次构图工艺在完成步骤3)的基板上形成包括像素电极、栅线接口区域以及数据线接口区域的图形。

优选的是，所述步骤1)包括：在基板上沉积栅金属薄膜，然后在其上涂敷一层光刻胶，采用掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影，所述光刻胶保留区域对应于形成包括栅电极与栅线的图形的区域，再对暴露出来的栅金属薄膜进行刻蚀，最后将所述光刻胶剥离，形成包括栅电极与栅线的图形；所述栅金属薄膜的厚度范围为150nm-300nm，其采用Mo制成，所述栅金属薄膜采用溅射的方法形成；

所述步骤2)包括：

21)在完成步骤1)的基板上依次沉积绝缘薄膜、有机半导体薄膜以及阻挡层薄膜；

22)在完成步骤21)的基板上涂敷一层光刻胶；

23)采用半色调掩模板或灰色调掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影，所述半色调掩模板或灰色调掩模板上设有非透射区域、第一部分透射区域、第二部分透射区域以及透射区域，上述区域在所述光刻胶上分别对应形成光刻胶完全保留区域、光刻胶第一部分保留区域、光刻胶第二部分保留区域以及光刻胶完全去除区域，或者分别对应形成光刻胶完全去除区域、光刻胶第一部分保留区域、光刻胶第二部分保留区域以及光刻胶完全保留区域；所述光刻胶完全保留区域的光刻胶被全部保留，其对应于形成阻挡层的图形，所述光刻胶第一部分保留区域的光刻胶的厚度比光刻胶完全保留区域的光刻胶的厚度薄，且比光刻胶第二部分保留区域的光刻胶的厚度厚，其对应于形成有机半导体层的图形，所述光刻胶第二部分保留区域对应于形成绝缘层的图形，所述光刻胶完全去除区域的光刻胶被全部去除，其对应于形成栅线接口区域的图形；

24)对完成步骤23)的基板进行第一次刻蚀，形成包括绝缘层与栅线接口区域的图形；

25)对完成步骤24)的基板进行第一次灰化，灰化掉所述光刻胶第二部分保留区域的光刻胶；

26)对完成步骤25)的基板进行第二次刻蚀，形成有机半导体层的图形；