[发明专利]基板搬送装置以及基板搬送方法无效
申请号: | 201210089654.7 | 申请日: | 2012-03-29 |
公开(公告)号: | CN102738046A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 松浦广行;菊池浩 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;舒艳君 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板搬送 装置 以及 方法 | ||
本申请基于2011年3月31日申请的日本专利申请第2011-077033号主张其优先权,参照其全部内容并引用至此。
技术领域
本发明涉及在利用进退自由地设置于搬送基体的板状保持体来在与支承部之间交接基板的基板搬送装置中,抑制保持体由于保持基板而产生的挠曲的技术。
背景技术
在半导体器件或LCD基板的制造工艺中,进行如下处理,即从收纳有多层多枚基板的被称为“FOUP”的基板收纳容器中利用基板搬送装置取出基板,并交接给下一步骤的模块。所述基板搬送装置如图27以及图28所示,具有:绕垂直轴旋转自由、升降自由地构成的搬送基体12以及在该搬送基体12上进退自由地设置的、对作为基板的半导体晶片W(以下称为“晶片W”)的背面侧进行保持的保持体即叉部11。图27和图28中的14以及15是晶片W的引导部件。在FOUP或者纵型热处理装置中所使用的晶片舱等分层地支承多枚晶片W的支承构造物中,为了实现其小型化,在晶片W交接时需要缩小在上下方向上的移载间隙(是指为了防止在移载时叉部11以及晶片W与支承构造物之间的碰撞而设置的缝隙。以下,在本说明书中是相同的。),因此,叉部11的厚度被设定成例如3mm左右。
然而,近年来晶片大型化,正在研究450mm大小的晶片,重量伴随着大口径化而增大。另一方面,叉部11与晶片大小相应地变长,但是从上述叙述的理由出发,不希望为了提高刚性而增大叉部11的厚度。在利用与现有同样厚度的较长的叉部11的情况下,如图29所示,由于晶片的重量,叉部11的前端向下方下垂的挠曲有可能会产生不可忽视的程度。
当产生这种挠曲时,如图29所示,与叉部11的上下方向尺寸(L1)变大相同,在晶片W交接时需要较大的移载间隙。因此,在FOUP或晶片舱中,不得不增大晶片排列的间距,当想要搭载与现有相同枚数的晶片W时,与现有的相比大型化了。另一方面,为了使FOUP、晶片舱维持与现有相同的大小,不得不减小晶片W的搭载枚数,有可能会产生吞吐量降低这样的问题。因此,要求在保持了晶片W时抑制叉部11前端下垂的挠曲。
在JP3802119B2(图2、图4)中,记载了相对于支承具在θ方向旋转自由地设置叉部,并且相对于臂部在α方向旋转自由地设置所述支承具,由此来调整叉部倾斜度的技术。所述θ方向是指绕在叉部长度方向上延伸的水平轴线旋转的方向,所述α方向是指绕在叉部宽度方向上延伸的水平轴线旋转的方向。在该文献中,还记载了利用压电元件来使支承具或者叉部旋转的内容。另外,在JP2007-61920A(图3、段落0017)中,记载了在利用螺栓将叉部的基端侧安装于手部的构成中,在手部上设置偏心轴,利用该偏心轴来按压叉部,从而修正叉部前端下垂的技术。
上述两个现有技术文献所公开的构成均是通过在叉部的基端侧使叉部倾斜来修正叉部姿势的构成,而不是消除叉部自身挠曲的构成。
发明内容
本发明提供一种抑制用于保持基板的保持体的挠曲的技术。
本发明的基板搬送装置的特征在于,在保持基板并利用进退自由地设置于搬送基体的板状保持体来在与支承部之间交接基板的基板搬送装置中具备:压电体,其为了抑制上述保持体的挠曲而设置,当被施加电压时收缩或者伸长;供电部,其对该压电体施加电压,以便在朝向上方翘曲的方向上对所述保持体赋予弯曲应力。
另外,本发明的基板搬送方法的特征在于,包括:使设置于搬送基体的板状保持体前进并位于被支承体支承的基板的下方侧的步骤;接着,使所述保持体对于支承体相对地上升来接收基板的步骤;以及对设置于所述保持体的压电体施加与未保持基板时相比绝对值大的电压来使该压电体收缩或者伸长,抵抗由于基板的自重而导致的保持体的挠曲,从而在朝向上方翘曲的方向上对该保持体赋予弯曲应力的步骤。
根据本发明,在保持体挠曲时对压电体施加电压,以便在朝向上方翘曲的方向上对该保持体赋予了弯曲应力,由此能够缓和所述保持体的挠曲。
附图说明
图1是表示一个实施方式所涉及的基板搬送装置、FOUP、晶片舱的概略侧视图。
图2是所述基板搬送装置的俯视图。
图3是所述基板搬送装置的侧视图。
图4是表示所述基板搬送装置的一部分的放大侧视图。
图5是用于对设置于所述基板处理装置的压电体的作用进行说明的侧视图。
图6是表示控制所述基板处理装置的动作的控制部的构成图。
图7是表示被施加给所述压电体的电压和保持体的相对高度位置之间的关系的电压曲线的特性图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造