[发明专利]电光装置、电子设备、电光装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 201210090601.7 申请日: 2012-03-30
公开(公告)号: CN102736340A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 中川雅嗣 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;G02F1/167;H01L21/77;H01L27/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘薇;陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电光 装置 电子设备 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电光装置,其特征在于,

在基板上具备:

晶体管;

与上述晶体管对应设置的像素电极;以及

电容布线,其在上述基板和上述像素电极之间设置成一部分与上述像素电极相对,并隔着上述像素电极和电介质层构成保持电容;

其中,上述电容布线被形成为埋入在上述基板和上述像素电极之间设置的绝缘膜,并且其上述像素电极一侧的面与上述绝缘膜一同进行平坦化。

2.根据权利要求1所述的电光装置,其特征在于,

上述电容布线包含第1导电膜和覆盖上述第1导电膜进行保护的第2导电膜;

上述第2导电膜的表面与上述绝缘膜的表面为同一个面。

3.根据权利要求1或2所述的电光装置,其特征在于,上述像素电极跨越相邻并行的两个上述电容布线而配置。

4.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求1至3任意一项所述的电光装置。

5.一种电光装置的制造方法,其特征在于,包括:

在基板上形成电容布线层的工序;

覆盖上述电容布线层而形成绝缘膜的工序;

研磨上述绝缘膜,使上述电容布线层从上述绝缘膜露出,并且对所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的表面进行平坦化的工序;

形成覆盖所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的电介质层的工序;以及

以隔着上述电介质层一部分与上述电容布线层重合的方式形成像素电极的工序。

6.根据权利要求5所述的电光装置的制造方法,其特征在于,形成上述电容布线层的工序包括:形成第1导电膜的工序;形成覆盖并保护上述第1导电膜的第2导电膜的工序;以及对上述第1导电膜和上述第2导电膜进行图案化以形成上述电容布线层的工序。

7.一种电光装置的制造方法,其特征在于,包括:

在基板上形成绝缘膜的工序;

在上述绝缘膜形成沟部的工序;

填埋上述沟部并且覆盖上述绝缘膜以形成电容布线层的工序;

研磨上述电容布线层,在上述沟部中使上述电容布线层从上述绝缘膜露出,并且对所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的表面进行平坦化的工序;

形成覆盖所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的电介质层的工序;以及

以隔着上述电介质层一部分与上述电容布线层重合的方式形成像素电极的工序。

8.根据权利要求7所述的电光装置的制造方法,其特征在于,形成上述电容布线层的步骤包括:形成第1导电膜的工序;以及形成覆盖上述第1导电膜并保护上述第1导电膜的第2导电膜的工序。

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