[发明专利]电光装置、电子设备、电光装置的制造方法无效
申请号: | 201210090601.7 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN102736340A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 中川雅嗣 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;G02F1/167;H01L21/77;H01L27/02 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 刘薇;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 电子设备 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电光装置、电子设备、电光装置的制造方法。
背景技术
作为上述电光装置,例如有使用薄膜晶体管(TFT)作为像素的开关元件的有源驱动型液晶显示装置。
在这种液晶显示装置中,在基板上形成包含薄膜晶体管、与其连接的各种布线和/或电容等的像素电路和/或其外围电路。
作为上述像素电路的构成,在专利文献1中公开了一种液晶显示装置,其在有源矩阵基板上隔着层间绝缘膜在像素电极和源极线层之间配置遮光性黑矩阵,通过施加特定电位,屏蔽源极线,并且与像素电极形成存储电容。
根据该液晶显示装置,通过用黑矩阵屏蔽源极线,可以降低由于源极线电位引起的串扰,具有大的像素保持电容,并且实现高的开口率。
专利文献1:特开平7-128685号公报
但是,在上述专利文献1的液晶显示装置中,有在像素电极中与黑矩阵重合的部分,即在构成上述像素保持电容的部分,产生台阶,并且在该台阶部分液晶分子的取向混乱,发生显示不匀的问题。
发明内容
本发明正是为了解决上述问题的至少一部分而提出的,能够实现为以下形式或者实施例。
实施例1
本实施例的电光装置,其特征在于,在基板上具备:晶体管;与上述晶体管对应设置的像素电极;在上述基板和上述像素电极之间设置成一部分与上述像素电极相对、并隔着上述像素电极和电介质层构成保持电容的电容布线;其中上述电容布线被形成为埋入在上述基板和上述像素电极之间设置的绝缘膜,其上述像素电极一侧的面与上述绝缘膜一同进行平坦化。
根据该构成,在隔着电介质层电容布线和像素电极重合的部分构成保持电容。此外,被设置电介质层的部分由于电容布线和绝缘膜的表面进行了平坦化,因此,在隔着电介质层配置的像素电极的表面不产生凹凸。即,能够提供确保像素的开口率并且使用像素电极构成保持电容、与现有技术相比降低了显示不匀、具有优异显示品质的电光装置。
实施例2
优选地,在上述实施例的电光装置中,上述电容布线包含第1导电膜和覆盖并保护上述第1导电膜的第2导电膜,上述第2导电膜的表面与上述绝缘膜的表面为同一面。
根据该实施例,由于第1导电膜被第2导电膜保护,因此,在对电容布线的表面和绝缘膜的表面进行平坦化的工序中,第1导电膜不会损伤,至少确保第1导电膜中的导电性,构成没有电气异常的保持电容。
实施例3
在上述实施例的电光装置中,上述像素电极可以跨越相邻并行的两个上述电容布线而配置。
根据该实施例,与和1个电容布线重合的情况相比,能够增大保持电容中的电气电容。换句话说,容易确保所期望的电气电容。
实施例4
本实施例的电子设备的特征在于,具备上述实施例的电光装置。
根据该实施例,能够提供与现有技术相比降低了显示不匀、具有优异显示品质的电子设备。
实施例5
本实施例的电光装置的制造方法的特征在于,包括:在基板上形成电容布线层的工序;覆盖上述电容布线层而形成绝缘膜的工序;研磨上述绝缘膜,使上述电容布线层从上述绝缘膜露出,并且对所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的表面进行平坦化的工序;形成覆盖所露出的上述电容布线层和上述绝缘膜的电介质层的工序;以隔着上述电介质层一部分与上述电容布线层重合的方式形成像素电极的工序。
根据该方法,像素电极在覆盖表面被平坦化的电容布线层和绝缘膜的电介质层上被形成为俯视看一部分与电容布线层重合。因此,在所形成的像素电极的表面不产生凹凸。即,能够制造确保像素的开口率并且使用像素电极形成保持电容、与现有技术相比降低了显示不匀、具有优异显示品质的电光装置。
实施例6
上述实施例的电光装置的制造方法,其特征在于,形成上述电容布线层的步骤包括:形成第1导电膜的工序;形成覆盖并保护上述第1导电膜的第2导电膜的工序;对上述第1导电膜和上述第2导电膜进行图案化以形成上述电容布线层的工序。
根据该方法,由于第1导电膜被第2导电膜保护,因此,在研磨绝缘膜进行平坦化的工序中,能够防止第1导电膜损伤。即,能够至少确保第1导电膜中的导电性,形成没有电气异常的保持电容。
实施例7
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