[发明专利]一种对齐墩果酸有特定识别能力的印迹电化学传感器制备方法

权利要求书

1.一种对齐墩果酸有特定识别能力的印迹电化学传感器制备方法，其特征在于：

制备步骤如下：

(1)多壁碳纳米管的预处理：0.5g MWNTs分散在25ml 3.0mol/L的硝酸溶液中得到混合物溶液，在80℃下搅拌6h；然后，混合物溶液冷却并且过滤，沉淀物用二次去离子水冲洗直到滤出液的pH＝7过滤之后，在80℃下烘培24h得到MWNTs；

(2)纳米氧化锡/多壁碳纳米管-Nano-SnO₂/MWNTs的制备：将20mg酸化的MWNTs在80ml含有1.4ml HCl 0.1mol/L的SnCl₂溶液中超声3-5min，得到混合物；然后混合物在室温下搅拌45-60min；最后，对处理的纳米管样品过滤和洗涤；

(3)Nano-SnO₂/MWNTs修饰碳电极的制备：

A.碳电极的预处理：碳电极先用0.3-0.05μm的氧化铝泥浆打磨形成类似镜面的光滑表面；然后连续用二次去离子水和乙醇进行超声洗涤；最后，在进行修饰之前，先在含有1.0mmol/L[Fe(CN)₆]^3-/4-的磷酸盐缓冲液中用循环伏安法在-1.0～+1.2的范围内对碳电极进行测试，直至出现明显的氧化还原峰；B.碳电极的制备：将200mg壳聚糖粉末溶解在20ml 1.0％v/v的乙酸溶液中室温下超声15min直到粉末完全溶解，壳聚糖溶液不用时在冰箱中4℃保存；然后，通过超声10min将nano-SnO₂/MWNTs分散到2.0ml1.0％m/m壳聚糖溶液中；最后，200μL nano-SnO₂/MWNTs的分散液滴到碳电极的表面经16h干燥得到修饰的电极；

(4)MIP/Nano-SnO₂/MWNTs修饰碳电极的制备：含有聚吡咯单体、KCl和齐墩果酸的印迹聚吡咯溶液溶解在10ml甲醇溶液中，对混合物超声直到得到透明均一的溶液，然后用循环伏安法通过电沉积将印迹聚吡咯膜沉积到nano-SnO₂/MWNTs修饰碳电极的表面，在室温下经16h干燥得到MIP/Nano-SnO₂/MWNTs修饰的碳电极。

2.根据权利要求1所述的一种对齐墩果酸有特定识别能力的印迹电化学传感器制备方法，其特征在于：所述HCl：38％，v/v。

3.根据权利要求1所述的一种对齐墩果酸有特定识别能力的印迹电化学传感器制备方法，其特征在于：所述磷酸盐缓冲液：0.2mol/L，pH＝7。

4.根据权利要求1所述的一种对齐墩果酸有特定识别能力的印迹电化学传感器制备方法，其特征在于：所述印迹聚吡咯溶液中：聚吡咯单体100mmol/L、KCl 50mmol/L、齐墩果酸2.0mmol/L。

5.根据权利要求1所述的一种对齐墩果酸有特定识别能力的印迹电化学传感器制备方法，其特征在于：所述循环伏安法：-1.0～+1.2eV，10次，扫描速率：50mV/s。