[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板，以及在所述基板上形成的薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极和钝化层，所述薄膜晶体管的栅极和源极分别与所述扫描线和数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接，其特征在于，所述阵列基板还包括：

黑矩阵，所述黑矩阵与所述薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵设置在所述钝化层上。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵设置在所述钝化层与所述基板之间。

4.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述黑矩阵和所述像素电极交错设置。

5.根据权利要求1-3任一所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极，其中，所述公共电极位于所述像素电极的上方或者下方，所述公共电极和所述像素电极中位于上方的为狭缝状。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～5任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制造方法，包括在基板上制备薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极和钝化层，其特征在于还包括：

在所述基板的上方制备黑矩阵，所述黑矩阵与所述扫描线、数据线和薄膜晶体管对应设置。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板上方制备黑矩阵包括：

步骤1、在制备栅极、栅绝缘层、有源层、源/漏电极和数据线的基板上沉积钝化层、黑矩阵层和光刻胶层；其中，所述黑矩阵层和所述光刻胶层为具有相同光感应特性的光刻胶材料；

步骤2、通过灰色调掩膜板或半色调掩膜板对完成步骤1的基板进行构图工艺以得到过孔，然后灰化去除像素电极区域上的光刻胶和黑矩阵层，同时在基板的其余位置保留预设厚度的光刻胶层；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积透明导电层，利用离地剥离(lift off)工艺剥离掉保留的光刻胶层以及其上的透明导电层，形成像素电极的图形并露出黑矩阵。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤2包括：

步骤21、利用灰色调掩膜板或半色调掩膜板对所述黑矩阵层和光刻胶层进行曝光和显影处理，形成光刻胶半保留区、光刻胶完全去除区和光刻胶完全保留区，其中，光刻胶半保留区对应像素电极区域，光刻胶完全去除区对应过孔区域，光刻胶完全保留区对应黑矩阵层区域，所述光刻胶半保留区域的光刻胶被完全去除，所述光刻胶完全去除区的光刻胶和黑矩阵被完全去除；

步骤22、刻蚀所述光刻胶完全去除区的钝化层形成过孔的图形；

步骤23、对完成步骤22的基板进行灰化处理，控制灰化处理时间以去除像素电极区域上的黑矩阵层，同时在基板的其余位置保留预设厚度的光刻胶层。

10.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述黑矩阵层和所述光刻胶层为具有相同光感应特性的光刻胶材料，具体为：

所述黑矩阵层和光刻胶层均为负性光刻胶材料沉积得到。

11.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述基板上方制备黑矩阵包括：

在所述阵列基板的基板和钝化层之间的任意位置沉积黑矩阵层；

对所述黑矩阵层进行光刻以得到黑矩阵。

12.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在完成所述步骤3的基板上形成公共电极，所述公共电极为狭缝状。