[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)的生产领域，液晶面板的开口率是一个重要的产品指标。液晶面板中的数据线、扫描线和薄膜晶体管，通常采用设置在彩膜层中的黑矩阵遮挡，黑矩阵区域不能透光，液晶面板的开口率是指光线通过的那一部分的面积与液晶面板整体的面积之间的比值，开口率越高，光线通过的效率越高，同时，液晶面板的高开口率对于提高液晶面板的清晰度、亮度以及节省能源等方面都具有重要意义。

现有技术中，液晶面板通常包括阵列基板、彩膜基板和液晶层，液晶层对盒封装在阵列基板和彩膜基板之间。其中，彩膜基板上包括透明基板黑矩阵、彩膜层和公共电极，阵列基板依次包括基板、扫描线、数据线、薄膜晶体管和像素电极。将阵列基板和彩膜基板对盒封装之后，彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置，以遮挡从阵列基板上的薄膜晶体管、扫描线和数据线位置处的漏光。然而，由于实际生产中的设备精度和工艺条件的限制，彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的薄膜晶体管、扫描线、数据线很难精确对应，或者在使用液晶面板的时候，外力的冲击也可能造成彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的薄膜晶体管、扫描线、数据线之间的偏离，都可能导致漏光；现有技术中，可以通过增大黑矩阵的面积来避免阵列基板上的薄膜晶体管、扫描线、数据线位置处的漏光产生的缺陷，但是，增大黑矩阵的面积将导致液晶面板的开口率减小，液晶面板的显示亮度低。

并且，阵列基板也是OLED显示面板，电子纸显示面板等显示面板的必要组成部分，当这些显示面板需要在上基板(指与阵列基板相对设置的另一基板)上设置黑矩阵时，同样存在上述黑矩阵造成的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置，用于解决现有技术中液晶面板等显示面板的开口率小、显示亮度低的问题。

为此，本发明提供一种阵列基板，包括基板，以及在所述基板上形成的薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极和钝化层，所述薄膜晶体管的栅极和源极分别与所述扫描线和数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接，其特征在于，所述阵列基板还包括：

黑矩阵，所述黑矩阵与所述薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置。

其中，所述黑矩阵设置在所述钝化层上。

其中，所述黑矩阵设置在所述钝化层与所述基板之间。

其中，所述黑矩阵和所述像素电极交错设置。

进一步地，所述阵列基板还包括公共电极，其中，所述公共电极位于所述像素电极的上方或者下方，所述公共电极和所述像素电极中位于上方的为狭缝状。此时为ADS型阵列基板。

本发明还提供一种显示装置，其中包括上述的阵列基板。

本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括在基板上制备薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极和钝化层，其中，所述制造方法还包括：

在所述基板的上方制备黑矩阵，所述黑矩阵与所述扫描线、数据线和薄膜晶体管对应设置。

其中，所述在所述基板上方制备黑矩阵包括：

步骤1、在制备栅极、栅绝缘层、有源层、源/漏电极和数据线的基板上沉积钝化层、黑矩阵层和光刻胶层；其中，所述黑矩阵层和所述光刻胶层为具有相同光感应特性的光刻胶材料；

步骤2、通过灰色调掩膜板或半色调掩膜板对完成步骤1的基板进行构图工艺以得到过孔，然后灰化去除像素电极区域上的光刻胶和黑矩阵层，同时在基板的其余位置保留预设厚度的光刻胶层；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积透明导电层，利用离地剥离(lift off)工艺剥离掉保留的光刻胶层以及其上的透明导电层，形成像素电极的图形并露出黑矩阵。

其中，所述步骤2包括：

步骤21、利用灰色调掩膜板或半色调掩膜板对所述黑矩阵层和光刻胶层进行曝光和显影处理，形成光刻胶半保留区、光刻胶完全去除区和光刻胶完全保留区，其中，光刻胶半保留区对应像素电极区域，光刻胶完全去除区对应过孔区域，光刻胶完全保留区对应黑矩阵层区域，所述光刻胶半保留区域的光刻胶被完全去除，所述光刻胶完全去除区的光刻胶和黑矩阵被完全去除；

步骤22、刻蚀所述光刻胶完全去除区的钝化层形成过孔的图形；