[发明专利]用于半导体芯片的切割道无效
申请号: | 201210094575.5 | 申请日: | 2012-04-01 |
公开(公告)号: | CN103367324A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 童宇锋;郭晓波 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 芯片 切割 | ||
技术领域
本发明涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种半导体产品制造中用于半导体芯片的切割道。
背景技术
目前半导体产品的切割道,在满足切割需要的同时,还会用于摆放各种光刻对准标记以及各项监测用的标记,供工艺生产时使用。为了满足摆放这些标记的需求,切割道必须满足一定的宽度尺寸要求。随着器件关键尺寸的不断缩小,实现同样功能所需的单位面积也不断缩小,对一些功能比较简单的器件而言,在一个曝光单元内所能放置的芯片(chip)数量大幅增加,进而也导致不同芯片之间的切割道所占曝光单元面积的比例同步增加;同样切割道在放置完工艺所需的标记后,空白切割道的面积也大幅增加,这些空白切割道实际上造成了对一片晶圆上有效芯片数量的损失,使空间大量浪费。因此有新的设计提出把切割道缩小,即使用窄尺寸的切割道,并把标记移到芯片里。但由于芯片的大小因产品的不同没有固定性,并非标记大小的整数倍,同样会对标记的摆放造成不固定的浪费。同时大量类似标记放在同一区域也会对工艺以及标记本身的效果产生影响,比如对准标记可能产生对准信号的相互干扰误判,另外,这样的设计也对有效芯片数量的统计带来了巨大的复杂性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用于半导体芯片的切割道,既能满足切割道放置所有标记的需求,又能有效减少空白切割道区域占用曝光单元面积的比例。
为解决上述技术问题,本发明的用于半导体芯片的切割道是采用如下技术方案实现的,设置宽、窄两种宽度尺寸的切割道;在曝光单元的外围使用宽尺寸的切割道,并在其中放置各种用于对准和监测用途的标记;其他区域使用窄尺寸的切割道,以区分不同芯片。
本发明通过同时排布两种不同宽度尺寸的切割道,既可以在不做任何变更的状况下保证原有切割道放置各种标记的特性和功能,又可以大幅度降低空白切割道区域占用曝光单元面积的比例,大幅提升单片晶圆上有效芯片的数量;不产生任何负面影响,也不会对有效芯片的统计带来新的复杂性。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1是用于半导体芯片的切割道实施例一示意图;
图2是用于半导体芯片的切割道实施例二示意图;
图3是用于半导体芯片的切割道实施例三示意图;
图4是用于半导体芯片的切割道实施例四示意图。
具体实施方式
当芯片面积大幅缩小后,一个曝光单元内芯片数量会大幅增加,切割道在放置好各项标记后,空白切割道的面积将出现大量空余,使空白切割道区域占用曝光单元面积的比例增加。为了解决这一问题,本发明提出了一种新的设计方案,同时使用两种宽度尺寸的切割道。
实施例一
参见图1所示,在曝光单元的外围使用宽尺寸的切割道,用于放置各种用于诸如光刻对准标记以及各项工艺监测标记;在曝光单元的其它区域使用窄尺寸的切割道,即在各芯片之间使用窄尺寸的切割道,用于间隔和区分不同的芯片。在窄尺寸的切割道上不放置任何标记,这样可以大幅减小原来宽尺寸的切割道所占用的面积。在产品的所有工艺步骤全部完成后,使用刻蚀的方法将所有切割道直接刻穿,从而实现产品的切割分离。
宽尺寸的切割道和窄尺寸的切割道之间的宽度差距越大,越有利于对有效面积的利用。其中,窄尺寸的切割道宽度应尽量小,以最大限度节省其所占用的面积,最好控制在小于等于20μm。
由于用于测量套刻精度的标记需要尽量放在外围,因此,本实施例把所有的标记移到特定的区域,即曝光单元的最外圈位置。用于放置各种标记的宽尺寸的切割道的宽度,以满足各项标记能达到各自所需的实际效果为准。各种对准和监测标记按照实际生产需求排布在宽尺寸的切割道中,比如套刻标记等需分别放置在四个角落。
实施例二
参见图2所示,本实施例与实施例一的区别在于,沿所述曝光单元的中心纵向还设置有一贯穿曝光单元的宽尺寸的切割道。其余与实施例一完全相同。
实施例三
参见图3所示,本实施例与实施例一的区别在于,沿所述曝光单元的中心横向还设置有一贯穿曝光单元的宽尺寸的切割道。其余与实施例一完全相同。
实施例四
参见图4所示,本实施例与实施例一的区别在于,沿所述曝光单元的中心,横向和纵向还交叉各设置有一贯穿曝光单元的宽尺寸的切割道。其余与实施例一完全相同。
实施例五
参见图2所示,本实施例与实施例三的区别在于,该横向贯穿的宽尺寸的切割道可在所述曝光单元的中心以外的任意位置。
实施例六
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210094575.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。