[发明专利]半导体封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

芯片，其上设置有多个金属凸点；

转接板，所述转接板上表面凹陷有收容空间，所述芯片收容于所述收容空间内；

多个通孔，贯穿所述转接板与所述收容空间连通，所述通孔内设置有导电介质，所述导电介质电性连接设置于转接板下表面的再分布电路，所述再分布电路上设有多个焊接凸点；

其中，所述金属凸点与所述导电介质电性连接，所述多个焊接凸点的节距大于所述多个金属凸点的节距。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设置于所述通孔内壁上的第一绝缘层。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设置于所述转接板下表面第二绝缘层，所述再分布电路设置于所述第二绝缘层上。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设置于所述再分布电路上的防焊层，所述防焊层开设有部分暴露所述再分布电路的开口，所述焊接凸点通过所述开口与所述再分布电路电性连接。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述金属凸点的位置与所述通孔的位置相匹配。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的封装结构，其特征在于，所述导电介质为填充于所述通孔内的金属材料。

7.一种半导体封装方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

提供一转接板，在所述转接板的下表面形成多个向转接板上表面延伸一定深度的盲孔；

在所述盲孔内形成导电介质；

在所述转接板下表面形成电性连接所述导电介质的再分布电路；

自所述转接板的上表面制作一收容空间，所述收容空间暴露出所述导电介质；

提供一芯片，在所述芯片上设置多个金属凸点，将芯片设置于所述收容空间内，并将所述金属凸点与所述导电介质电性连接，以及在所述转接板下表面形成多个与所述再分布电路电性连接的焊接凸点，所述多个焊接凸点的节距大于所述多个金属凸点的节距。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述盲孔内形成导电介质之前，还包括：在所述盲孔的内壁上形成第一绝缘层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，“在所述转接板下表面形成再分布电路”具体包括：

在所述转接板的下表面形成第二绝缘层，所述再分布电路形成于所述第二绝缘层上。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，“在所述转接板下表面形成多个与所述再分布电路电性连接的焊接凸点，所述多个焊接凸点的排布密度小于所述多个金属凸点的排布密度”具体包括：

在所述再分布电路上形成一防焊层；

在所述防焊层上形成部分暴露所述再分布电路的开口；

在所述开口上形成与所述再分布电路电性连接的多个焊接凸点，所述多个焊接凸点的排布密度小于所述多个金属凸点的排布密度。

11.根据权利要求7至10中任意一项所述的方法，其特征在于，“在所述芯片上设置多个金属凸点”具体包括：

在所述芯片上设置多个位置与所述盲孔匹配的金属凸点。

12.根据权利要求7至10中任意一项所述的方法，其特征在于，“在所述盲孔内形成导电介质”具体包括：

通过电镀工艺对在所述盲孔内填充导电材料。