[发明专利]半导体封装结构及其封装方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造领域技术，尤其涉及一种半导体封装结构，及其封装方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，单个芯片的功能越来越强大，但对芯片的尺寸要求越来越小，单位面积的I/O数量也相应得越来越多，转接板的出现解决了这一问题。

现有技术中，通常是通过硅通孔技术在转接板上形成通孔，并在转接板的正面重布线电路，背面重布线电路，并制作与PCB板焊垫尺寸相匹配凸点，以解决与PCB不兼容问题。

但是，现有的这种转接板封装技术中，由于转接板的通孔工艺难度，导致转接板不能过厚，为了保证其性能，通常采用临时压合（Temporary bonding）工艺将转接板和一临时基板压合在一起，再进行接下来的制程，等封装完成后再将转接板上的临时基板进行剥离，工艺较复杂且成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体封装结构，其通过在转接板上设置可容纳芯片的收容空间，降低了转接板封装的工艺难度。

本发明的目的还在于提供一种上述半导体封装结构的封装方法。

为实现上述发明目的，本发明提供一种半导体封装结构，所述封装结构包括：

芯片，其上设置有多个金属凸点；

转接板，所述转接板上表面凹陷有收容空间，所述芯片收容于所述收容空间内；

多个通孔，贯穿所述转接板与所述收容空间连通，所述通孔内设置有导电介质，所述导电介质电性连接设置于转接板下表面的再分布电路，所述再分布电路上设有多个焊接凸点；

其中，所述金属凸点与所述导电介质电性连接，所述多个焊接凸点的节距大于所述多个金属凸点的节距。

作为本发明的进一步改进，所述封装结构还包括设置于所述通孔内壁上的第一绝缘层。

作为本发明的进一步改进，所述封装结构还包括设置于所述转接板下表面的第二绝缘层，所述再分布电路设置于所述第二绝缘层上。

作为本发明的进一步改进，所述封装结构还包括设置于所述再分布电路上的防焊层，所述防焊层开设有部分暴露所述再分布电路的开口，所述焊接凸点通过所述开口与所述再分布电路电性连接。

作为本发明的进一步改进，所述金属凸点的位置与所述通孔的位置相匹配。

作为本发明的进一步改进，所述导电介质为填充于所述通孔内的金属材料。

为解决上述另一发明目的，本发明还提供一种半导体封装方法，该方法包括以下步骤：

提供一转接板，在所述转接板的下表面形成多个向转接板上表面延伸一定深度的盲孔；

在所述盲孔内形成导电介质；

在所述转接板下表面形成电性连接所述导电介质的再分布电路；

自所述转接板的上表面制作一收容空间，所述收容空间暴露出所述导电介质；

提供一芯片，在所述芯片上设置多个金属凸点，将芯片设置于所述收容空间内，并将所述金属凸点与所述导电介质电性连接，以及在所述转接板下表面形成多个与所述再分布电路电性连接的焊接凸点，所述多个焊接凸点的节距大于所述多个金属凸点的节距。

作为本发明的进一步改进，在所述盲孔内形成导电介质之前，还包括：在所述盲孔的内壁上形成第一绝缘层。

作为本发明的进一步改进，“在所述转接板下表面形成再分布电路”具体包括：

在所述转接板的下表面形成第二绝缘层，所述再分布电路形成于所述第二绝缘层上。

作为本发明的进一步改进，“在所述转接板下表面形成多个与所述再分布电路电性连接的焊接凸点，所述多个焊接凸点的排布密度小于所述多个金属凸点的排布密度”具体包括：

在所述再分布电路上形成一防焊层；

在所述防焊层上形成部分暴露所述再分布电路的开口；

在所述开口上形成与所述再分布电路电性连接的多个焊接凸点，所述多个焊接凸点的排布密度小于所述多个金属凸点的排布密度。

作为本发明的进一步改进，“在所述芯片上设置多个金属凸点”具体包括：

在所述芯片上设置多个位置与所述盲孔匹配的金属凸点。

作为本发明的进一步改进，“在所述盲孔内形成导电介质”具体包括：

通过电镀工艺对在所述盲孔内填充导电材料。

与现有技术相比，本发明通过在转接板上设置可容纳芯片的收容空间，降低了转接板封装的工艺难度，进而降低了生产成本。

附图说明

图1是本发明一实施方式半导体封装结构的结构示意图；

图2是本发明一实施方式的半导体封装方法的流程图。

具体实施方式