[发明专利]一种氮化硅坩埚及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化硅坩埚的制备方法，包括以下步骤：

a)将由氮化硅粉和助烧剂组成的混合粉体进行造粒、成型，得到坩埚生胚；

b)将由二氧化硅粉和无水乙醇组成的浆料喷涂于所述步骤a)得到的坩埚生胚的内壁和外壁，干燥后得到内壁和外壁均喷涂有二氧化硅涂层的坩埚生胚；

c)将所述步骤b)得到的坩埚生胚进行气压烧结，得到坩埚熟坯；

d)将所述步骤c)得到的坩埚熟坯的内壁的二氧化硅涂层去除，得到氮化硅坩埚。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中，所述浆料的固含量为40％～50％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)得到的坩埚生坯的内壁的二氧化硅涂层的厚度≤1mm，所述步骤b)得到的坩埚生坯的外壁的二氧化硅涂层的厚度≤1mm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中，所述干燥的温度为80℃～110℃，所述干燥的时间≥4h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤c)中，所述气压烧结的压力≤9MPa，所述气压烧结的温度为1700℃～2000℃。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述助烧剂为二氧化硅，所述二氧化硅占所述混合粉体的质量分数≤10％。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述助烧剂为纳米二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述氮化硅粉由质量分数为90％～95％的亚微米氮化硅粉和质量分数为5％～10％的纳米氮化硅粉组成。

9.一种氮化硅坩埚，其特征在于，所述氮化硅坩埚的外壁喷涂有二氧化硅涂层。

10.根据权利要求9所述的氮化硅坩埚，其特征在于，所述二氧化硅涂层的厚度≤1mm。