[发明专利]功率晶体管器件垂直集成

权利要求书

1.一种半导体部件，包括：

包括第一绝缘体层、设置在所述第一绝缘体层上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的第二绝缘体层和设置在所述第二绝缘体层上的第二半导体层的层序列；以及

至少部分形成于所述第一半导体层内的多个器件，所述多个器件中的第一个是形成于所述第一半导体层的第一区域和所述第二半导体层的第一区域内的功率晶体管，第一和第二半导体层的第一区域通过所述第二绝缘体层内的第一开口相互电接触。

2.根据权利要求1所述的半导体部件，还包括设置在所述第一绝缘体层上的金属化层，从而使得所述第一绝缘体层插置于所述金属化层和所述第一半导体层之间，其中所述金属化层通过所述第一绝缘体层内的对应开口而与包括所述第一区域的所述第一半导体层的多个区域电接触。

3.根据权利要求2所述的半导体部件，其中所述第一半导体层的第一区域形成所述功率晶体管的漏极的至少一部分。

4.根据权利要求1所述的半导体部件，其中所述多个器件中的另一个是具有形成于所述第一半导体层的第二区域内的阳极和阴极的二极管，所述第一半导体层的所述第二区域与所述第一半导体层的所述第一区域横向隔开。

5.根据权利要求4所述的半导体部件，其中所述阳极与所述金属化层电接触，而所述阴极通过所述第二绝缘体层内的第二开口与所述第二半导体层的第二区域电接触，所述第二半导体层的第一和第二区域相互横向绝缘。

6.根据权利要求5所述的半导体部件，其中所述第二半导体层的所述第一区域形成所述功率晶体管的漂移区带，而所述第二半导体层的所述第二区域形成可操作用于控制所述漂移区带内的导电沟道的漂移控制区带。

7.根据权利要求2所述的半导体部件，其中所述多个器件中的另一个是具有形成于所述第一半导体层的第二区域内的栅极的电平移位器，所述第一半导体层的所述第二区域与所述第一半导体层的所述第一区域横向绝缘，所述电平移位器的所述栅极通过所述第一绝缘体层与所述金属化层绝缘。

8.根据权利要求1所述的半导体部件，其中所述多个器件中的另一个是形成于所述第一半导体层的第二区域内的互连结构，所述第一半导体层的所述第二区域与所述第一半导体层的所述第一区域横向绝缘。

9.根据权利要求1所述的半导体部件，其中所述多个器件中的另一个是形成于所述第一半导体层的第二区域内的电阻器，所述第一半导体层的所述第二区域与所述第一半导体层的所述第一区域横向隔开。

10.一种制造半导体部件的方法，包括：

形成包括第一绝缘体层、设置在所述第一绝缘体层上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的第二绝缘体层和设置在所述第二绝缘体层上的第二半导体层的层序列；以及

形成至少部分形成于所述第一半导体层内的多个器件，所述多个器件中的第一个是形成于所述第一半导体层的第一区域和所述第二半导体层的第一区域内的功率晶体管，第一和第二半导体层的第一区域通过所述第二绝缘体层内的第一开口相互电接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述层序列包括：

为第一半导体衬底提供掩埋氧化物层，所述掩埋氧化物层将所述第一半导体衬底的较厚体块区域与所述第一半导体衬底的较薄半导体层隔离；

为第二半导体衬底提供设置在所述第二半导体衬底的一侧上的表面绝缘体层；

将所述第一半导体衬底键合至所述第二半导体衬底，从而使得所述表面绝缘体层与所述较薄半导体层相邻；以及

在键合之后去除所述第一半导体衬底的所述体块区域，从而使得由所述掩埋氧化物层形成所述层序列的所述第一绝缘体层，由所述较薄半导体层形成所述第一半导体层，由所述表面绝缘体层形成所述第二绝缘体层，并且由所述第二半导体衬底形成所述第二半导体层。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述第一绝缘体层内形成延伸至所述第一半导体层的多个接触开口；以及

在所述第一绝缘体层上形成金属化层，其中所述金属化层通过所述多个接触开口与所述第一半导体层的多个区域电接触。