[发明专利]Hi-B取向硅钢磁感应强度的测量方法

权利要求书

1.一种Hi-B取向硅钢磁感应强度的测量方法，包括以下步骤：

1)切取Hi-B取向硅钢试样，在试样上标示出晶界线，并将由晶界线所围成的各个晶粒进行编号，编为1、2……n；

2)将试样拍摄成照片，采用图像分析仪测量出照片中每个编号晶粒的面积S_n，其中n＝1、2……n，同时测量出照片中整个试样的面积S_z；

3)采用电子背散射衍射分别测量出编号晶粒的沿轧制方向的取向<uvw>，再由公式m＝α²β²+β²γ²+γ²α²计算出编号晶粒的<uvw>方向的m值，公式中的α、β和γ分别是该<uvw>方向与三个主晶轴<001>的方向余弦；

4)查得标样的B₀₀₁，并由公式B_uvw＝B₀₀₁(1-m)计算出每个编号晶粒的B_uvw；

5)将所测量的每个编号晶粒的面积S_n除以整个试样的面积S_z所得值S_i作为权重，再分别乘以相应晶粒的B_uvw，其值为该晶粒对整个试样的磁感应强度贡献，记为B_i＝S_i×B_uvw，所有编号晶粒的B_i之和，即为该试样的磁感应强度B。

2.根据权利要求1所述的Hi-B取向硅钢磁感应强度的测量方法，其特征在于：在步骤3)中，在采用电子背散射衍射测量编号晶粒的取向<uvw>之前，将试样分割成若干小片。