[发明专利]Hi-B取向硅钢磁感应强度的测量方法有效
申请号: | 201210099417.9 | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN102608551A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 周顺兵;韩荣东;王志奋;吴立新;陈士华;孙宜强;欧阳珉路;黄海娥 | 申请(专利权)人: | 武汉钢铁(集团)公司 |
主分类号: | G01R33/12 | 分类号: | G01R33/12 |
代理公司: | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人: | 胡镇西 |
地址: | 430080 湖北省武汉市武昌*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | hi 取向 硅钢 感应 强度 测量方法 | ||
技术领域
本发明涉及磁感应强度的测量方法,具体地指一种Hi-B取向硅钢磁感应强度的测量方法。
背景技术
随着我国电力工业的不断发展,对变压器性能的要求越来越高,使得取向硅钢片成为制造变压器的核心材料。其中,高磁感应强度Hi-B取向硅钢有以下几个优点:(1)取向度更高、磁性能更好;(2)可使铁芯的磁激电流降低,节约电能;(3)可使铁芯截面积缩小,减轻铁芯重量并减少硅钢使用量;(4)节省导线、绝缘材料及结构材料使用量,可节约制造、运输及安装成本。
在科研生产中,需要研究Hi-B取向硅钢的磁感以及它与织构信息的相互关系。由于Hi-B取向硅钢的化学成分的变化范围很窄,因此,Hi-B取向硅钢的磁感应强度主要取决于各晶粒的取向。又由于Hi-B取向硅钢经过二次再结晶退火后,其晶粒尺寸已经达到几毫米至几十毫米,这些晶粒中大的晶粒对磁感的贡献显然不同于小的晶粒。如果要测量整个试样的织构信息,采用常规的织构测量仪器,如X-射线衍射仪、EBSD等,这些仪器所测量的区域较小,只能测量晶粒尺寸非常大的Hi-B取向硅钢中的一个或几个晶粒的取向(织构)信息,这几个晶粒显然不能代表整个硅钢的织构信息。而织构的好坏直接影响磁感应强度的高低。为了研究整个硅钢的织构信息及其与磁感应强度的关系,需要建立一种特殊的织构测量方法,从而进一步测定硅钢的磁感应强度。
发明内容
本发明的目的就是要克服现有技术所存在的不足,提供一种Hi-B取向硅钢磁感应强度的测量方法。
在外磁场的作用下,被测硅钢中某个晶粒内将产生磁感应现象。由于该晶粒具有各向异性,不同晶体方向上晶体磁化的难易程度不同,其中<001>方向是最易磁化方向,<111>方向是最难磁化方向。
设任意方向<uvw>上的磁感应强度为Buvw,则其大小应为易磁化方向<001>的磁感应强度B001减去磁矩克服磁晶各向异性能而损耗的磁感应强度mB001,即
Buvw=B001-mB001 (1)
公式(1)中m=α2β2+β2γ2+γ2α2 (2)
其中,α、β和γ分别是该<uvw>方向与三个主晶轴<001>的方向余弦。
令Kuvw=1-m,即有
Buvw=B001(1-m) (3)
这里,B001是标样(物理状态与试样基本相同的样品)的<001>方向的磁感应强度,Kuvw为磁晶各向异性常数。
公式(3)中的结果只是一个晶粒的磁感应强度。由于Hi-B取向硅钢中各个晶粒的取向和面积大小不同,因此,各晶粒对磁感应强度的贡献不同。如果将各晶粒的面积占整个试样面积的比例作为权重,并将各晶粒<uvw>取向的磁感应强度Buvw与权重的乘积之和记为整个试样的磁感应强度B,即所测得的试样的磁感应强度。显然,通过这样的方法测量磁感应强度,使得晶粒的取向、晶粒的面积、磁感应强度的相互关系建立起来了。
基于上述原理,本发明所提供的Hi-B取向硅钢磁感应强度的测量方法,包括以下步骤:
1)切取Hi-B取向硅钢试样,在试样上标示出晶界线,并将由晶界线所围成的各个晶粒进行编号,编为1、2……n;
2)将试样拍摄成照片,采用图像分析仪测量出照片中每个编号晶粒的面积Sn,其中n=1、2……n,同时测量出照片中整个试样的面积Sz
3)采用电子背散射衍射仪(EBSD)分别测量出编号晶粒的沿轧制方向的取向<uvw>,再由公式m=α2β2+β2γ2+γ2α2计算出编号晶粒的<uvw>方向的m值,公式中的α、β和γ分别是该<uvw>方向与三个主晶轴<001>的方向余弦;
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