[发明专利]像素阵列基板

权利要求书

1.一种像素阵列基板，包括：

基板，具有一表面；

多条扫描线、多条数据线与多条共用线，配置于该基板上；

多个电容，配置于该基板上且耦接于该些共用线，其中各该电容的上电极相对该表面具有起伏；

多个有源元件，配置于该基板上；以及

多个像素电极，配置于该基板上，每一像素电极分别通过不同的有源元件与对应的扫描线及数据线电连接。

2.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中各该电容的上电极相对该表面的最大高低差为50纳米至2000纳米。

3.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中各该电容的上电极垂直于该表面的剖面呈波浪状。

4.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中从垂直该表面的方向观之，各该电容的上电极具有互相平行的多条凹陷区。

5.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中从垂直该表面的方向观之，各该电容的上电极具有多个点状凹陷区。

6.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该些有源元件的通道的材质为低温多晶硅或非晶硅。

7.一种像素阵列基板，包括：

基板；

第一绝缘层，配置于该基板上，且具有多个凹槽；

多个有源元件，各该有源元件的一部分埋置于该第一绝缘层中或全部配置于该第一绝缘层上；

多条第一信号线、多个下电极与多条共用线，配置于该第一绝缘层上，其中各该下电极的一部分位于至少一个该些凹槽中，且各该共用线连接该些下电极；

第二绝缘层，覆盖该第一绝缘层、该些第一信号线、该些下电极与该些共用线，且位于各该有源元件的栅极与源漏极之间；

多条第二信号线与多个上电极，配置于该第二绝缘层上，其中该些上电极与该些下电极对应地耦合为多个电容；

第三绝缘层，覆盖该第二绝缘层、该些第二信号线与该些上电极，且具有多个接触窗开口；以及

多个像素电极，配置于该第三绝缘层上，各该像素电极通过一个该些接触窗开口电连接对应的该有源元件的源漏极。

8.如权利要求7所述的像素阵列基板，其中各该凹槽的深度为50纳米至2000纳米。

9.如权利要求7所述的像素阵列基板，其中该第一绝缘层在具有该些凹槽的部分的剖面呈波浪状。

10.如权利要求7所述的像素阵列基板，其中各该下电极覆盖的该些凹槽为互相平行的条状凹槽。

11.如权利要求7所述的像素阵列基板，其中各该下电极覆盖的该些凹槽为多个点状凹槽。

12.如权利要求7所述的像素阵列基板，其中该些有源元件的通道的材质为低温多晶硅或非晶硅。

13.如权利要求7所述的像素阵列基板，其中各该上电极电连接对应的该有源元件的源漏极。

14.如权利要求7所述的像素阵列基板，其中该第一绝缘层为一多层结构。