[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。

背景技术

高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS)是一种平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术(ADS)可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

其中R-ADS技术(全称Retina display-ADvanced Super Dimension Switch，即视网膜显示-高级超维场转换技术)，是将ADS技术应用到视网膜显示(Retina Display)之中的新技术，其核心技术特征为：将ADS技术应用到视网膜显示之中，使ADS显示器件(如阵列基板或液晶面板)具备超高像素密度，即实现像素密度达到300PPI以上。利用R-ADS技术的显示屏，将使人眼无法分辨出单独像素，使图像不再有颗粒感，显示更逼真，可以让观看者有种看纸制品的感觉；同时，加之具备ADS的上述优点，因而具有广阔的应用前景。

随着ADS技术，尤其是R-ADS技术的应用，对显示效果的要求也越来越高。但是，生产当中的不良也成为了影响产品品质的重要因素，尤其是闪烁(flicker)，串扰(crosstalk)不良以及暗影等，很多产品在生产过程中都会遇到，一直没有有效的手段来控制这些不良的发生，成为工艺设计上一大难题。

ADS产品的存储电容的波动一直是产生flicker的重要原因之一。因为现有的一些ADS产品的像素电极为每个像素相互独立的块状，公共电极做成条(slit)状，由于层之间的布局工艺偏差，导致两个电极重叠面积的波动。如图1所示，其中(a)(b)示出了层之间的布局工艺偏差，(b)中的块状的像素电极200相对于内有条状孔洞100′的公共电极100向左偏移，从而导致了存储电容的波动而引起flicker。而本设计采用像素电极在上，公共电极在下，像素电极做成条状，而公共电极连成一个整体，所以像素电极的偏移不会造成存储电容的波动，从而有效降低了flicker的发生，如图1中(c)所示，像素电极200为条状，200′为条状孔洞，公共电极100为块状。

上述ADS产品的公共电极形成整体，但是由于电阻较大的影响，会导致源漏(SD)信号线对公共电极的耦合效应无法及时被化解，导致公共电极的电压变化，像素中的驱动的压差就会产生差异，使显示画面产生crosstalk现象，影响了显示效果。而应用上述技术方案的R-ADS技术，同样存在crosstalk的问题。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何避免ADS显示画面中出现的Crosstalk现象。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列基板，包括形成在基板上的若干栅线、数据线以及在所述栅线和数据线之间形成的若干薄膜晶体管像素结构，所述薄膜晶体管像素结构包括薄膜晶体管和显示区域，所述显示区域设置有公共电极，所述阵列基板还包括：与所述公共电极连接的至少一条公共电极线。

其中，所述至少一条公共电极线位于薄膜晶体管像素结构的显示区域，或者位于两行相邻的薄膜晶体管像素结构的交界处。

其中，每行薄膜晶体管像素结构均对应设置有一条所述公共电极线。

其中，所述至少一条公共电极线通过N个位于阵列基板上的过孔与所述公共电极连接，其中，2≤N≤A，A为由数据线划分的多列薄膜晶体管像素结构的总列数。

进一步地，所述N个过孔数间隔相同像素列数或间隔相同像素行数呈周期性排列。

其中，由栅线划分的多行薄膜晶体管像素结构中相邻两行薄膜晶体管像素结构的薄膜晶体管区域相邻排列，所述相邻两行薄膜晶体管像素结构各自的显示区域分别与与其相邻行薄膜晶体管像素结构的显示区域相邻排列。

其中，所述多行薄膜晶体管像素结构的每行薄膜晶体管像素结构均设有一条所述公共电极线。

其中，显示区域相邻排列的两行薄膜晶体管像素结构的两行显示区域仅设有一条所述公共电极线，所述公共电极线位于所述显示区域相邻排列的两行薄膜晶体管像素结构的交界处。