[发明专利]半导体封装无效

专利信息
申请号: 201210100142.6 申请日: 2012-04-06
公开(公告)号: CN103165587A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 金泰勋;崔硕文 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/367;H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 陈潇潇;南毅宁
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,该半导体封装包括:

多个半导体元件;

形成在所述半导体元件的下方的第一散热基板;

将所述半导体元件的下部电连接至所述第一散热基板的上部的第一引线框;

形成在所述半导体元件的上方的第二散热基板;以及

具有突出部并将所述半导体元件的上部电连接至所述第二散热基板的下部的第二引线框,该突出部被形成以从所述第二引线框的一个表面向外部突出。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,该半导体封装进一步包括:

形成在所述第一引线框与所述第二引线框之间的空间中的衬垫。

3.根据权利要求1所述的半导体封装,该半导体封装进一步包括:

覆盖所述第一散热基板和所述第二散热基板的两边以使形成在所述第一散热基板与所述第二散热基板之间的内部空间与外界分隔的壳体。

4.根据权利要求3所述的半导体封装,其中,所述第一引线框和所述第二引线框中的至少一者被形成以从所述壳体向外部突出。

5.根据权利要求1所述的半导体封装,该半导体封装进一步包括:

填充在所述第一散热基板与所述第二散热基板之间的所述内部空间中的绝缘树脂。

6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述半导体元件包括功率元件和控制元件中的至少一者。

7.根据权利要求6所述的半导体封装,其中,所述功率元件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

8.根据权利要求6所述的半导体封装,其中,所述控制元件是二极管。

9.根据权利要求8所述的半导体封装,其中,所述二极管被布置以使所述二极管的栅电极与所述第一引线框相接触。

10.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一引线框和所述第二引线框使所述多个半导体元件彼此串联或并联连接。

11.一种半导体封装,该半导体封装包括:

各自具有相同厚度的多个半导体元件;

形成在所述半导体元件的下方的第一散热基板;

将所述半导体元件的下部电连接至所述第一散热基板的上部的第一引线框;

形成在所述半导体元件的上方的第二散热基板;以及

将所述半导体元件的上部电连接至所述第二散热基板的下部的第二引线框。

12.根据权利要求11所述的半导体封装,该半导体封装进一步包括:

形成在所述第一引线框与所述第二引线框之间的空间中的衬垫。

13.根据权利要求11所述的半导体封装,该半导体封装进一步包括:

覆盖所述第一散热基板和所述第二散热基板的两边以使所述第一散热基板与所述第二散热基板之间的内部空间与外界分隔的壳体。

14.根据权利要求13所述的半导体封装,其中,所述第一引线框和所述第二引线框中的至少一者被形成以从所述壳体向外部突出。

15.根据权利要求11所述的半导体封装,该半导体封装进一步包括:

填充在所述第一散热基板与所述第二散热基板之间的所述内部空间中的绝缘树脂。

16.根据权利要求11所述的半导体封装,其中,所述半导体元件包括功率元件和控制元件中的至少一者。

17.根据权利要求16所述的半导体封装,其中,所述功率元件是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

18.根据权利要求16所述的半导体封装,其中所述控制元件是二极管。

19.根据权利要求18所述的半导体封装,其中,所述二极管被布置以使所述二极管的栅电极与所述第一引线框相接触。

20.根据权利要求11所述的半导体封装,其中,所述第一引线框和所述第二引线框使所述多个半导体元件彼此串联或并联连接。

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