[发明专利]半导体封装无效

专利信息
申请号: 201210100142.6 申请日: 2012-04-06
公开(公告)号: CN103165587A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 金泰勋;崔硕文 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/367;H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 陈潇潇;南毅宁
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年12月16日提交的名称为“Semiconductor Package”的韩国专利申请号为No.10-2011-0136666的权益,该申请的全部内容通过引用的方式结合于此。

技术领域

本发明涉及半导体封装。

背景技术

随着电子工业的发展,提供小型且高密度的功率半导体模块同时减小半导体器件的尺寸已成为主要焦点,因此,焦点已缩小在减小模块的尺寸上。在有限的空间中集成元件会增加热量的产生,且这种热量的产生极大地影响了功率半导体模块的操作和使用寿命,因此,这已成为一个重要的问题。

这类功率半导体封装被配置成具有这样的结构,即多个半导体元件被焊接在单个绝缘基板上且壳体键合于其上。而且,半导体元件和基板、及嵌入壳体的基板和端子通过引线键合或焊接的方式相互连接。而且,由于用于耗散半导体封装的热量的散热板仅布置在该封装的下部,所以热量不能有效地耗散(公开号为10-2011-0014867的韩国专利)。

发明内容

本发明致力于提供一种紧凑型半导体封装。

本发明还致力于提供一种具有增强型散热效果的半导体封装。

根据本发明的优选实施方式,提供一种半导体封装,包括:多个半导体元件;形成在半导体元件的下方的第一散热基板;将半导体元件的下部电连接至第一散热基板的上部的第一引线框;形成在半导体元件的上方的第二散热基板;以及具有突出部并将半导体元件的上部电连接至第二散热基板的下部的第二引线框,该突出部被形成以从第二引线框的一个表面向外部突出。

该半导体封装可进一步包括:形成在第一引线框和第二引线框之间的空间中的衬垫。

该半导体封装可进一步包括:覆盖第一散热基板和第二散热基板的两边以使第一散热基板和第二散热基板之间的内部空间与外界分隔的壳体。

第一引线框和第二引线框中的至少一者可被形成以从壳体向外部突出。

该半导体封装可进一步包括:填充在第一散热基板和第二散热基板之间的内部空间中的绝缘树脂。

半导体元件可包括功率元件和控制元件中的至少一者。

功率元件可以是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

控制元件可以是二极管。

二极管可被布置以使该二极管的栅电极与第一引线框相接触。

第一引线框和第二引线框可使多个半导体元件彼此串联连接或并联连接。

根据本发明的另一优选实施方式,提供一种半导体封装,包括:各自具有相同厚度的多个半导体元件;形成在半导体元件下方的第一散热基板;将半导体元件的下部电连接至第一散热基板的上部的第一引线框;形成在半导体元件的上方的第二散热基板;以及将半导体元件的上部电连接至所述第二散热基板的下部的第二引线框。

该半导体封装可进一步包括:形成在第一引线框和第二引线框之间的空间中的衬垫。

该半导体封装可进一步包括:覆盖第一散热基板和第二散热基板的两边以使第一散热基板和第二散热基板之间的内部空间与外界分隔的壳体。

第一引线框和第二引线框中的至少一者可被形成以从壳体向外部突出。

该半导体封装可进一步包括:填充在第一散热基板和第二散热基板之间的内部空间中的绝缘树脂。

半导体元件可包括功率元件和控制元件中的至少一者。

功率元件可以是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

控制元件可以是二极管。

二极管可被布置以使二极管的栅电极与第一引线框相接触。

第一引线框和第二引线框可使多个半导体元件彼此串联连接或并联连接。

附图说明

图1是示出根据本发明优选实施方式的半导体封装的视图;

图2是示出根据本发明优选实施方式的由壳体封装的半导体封装的视图;

图3是示出根据本发明优选实施方式的包括半导体元件的电路图;

图4是示出根据本发明优选实施方式的半导体封装的布线结构的视图;以及

图5是示出根据本发明另一优选实施方式的半导体封装的视图。

具体实施方式

根据结合附图的下述描述,本发明的各种特征和优势将更加明显。

本说明书及权利要求书中所使用的术语及词语不应被解释为限于一般含义或字典定义,而是应当基于发明人可适当地对术语概念进行定义以更为适当地对他或她所知的用于执行本发明的最佳方法进行描述这一原则被解释为具有与本发明的技术范围相关的含义及概念。

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