[发明专利]有机发光装置无效
| 申请号： | 201210101357.X | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103367643A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张嘉雄;王文俊 | 申请（专利权）人： | 东莞万士达液晶显示器有限公司;胜华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 523119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光 装置 | ||
1.一种有机发光装置，其特征在于，包括：
一第一基板，具有多个第一导光微结构，该些第一导光微结构的分布密度介于100个/毫米至2000个/毫米之间，其中该些第一导光微结构位于该第一基板内，且该第一基板的材质包括光敏感材料；
一第二基板，与该第一基板平行配置；以及
一有机发光单元，配置在该第一基板与该第二基板之间。
2.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中该光敏感材料包括稀有金属、金、银或上述组合物。
3.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中该第一基板的折射率介于1.3至2.0之间。
4.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中该些第一导光微结构周期分布。
5.根据权利要求4所述的有机发光装置，其中该些第一导光微结构的分布密度介于100个/毫米至600个/毫米之间。
6.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中该些第一导光微结构非周期分布。
7.根据权利要求6所述的有机发光装置，其中该些第一导光微结构的分布密度介于1000个/毫米至2000个/毫米之间。
8.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中该些第一导光微结构的形状包括矩形、半圆形、三角形或阶梯状。
9.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中该第二基板具有多个第二导光微结构，该些第二导光微结构的分布密度介于100个/毫米至2000个/毫米之间，其中该些第二导光微结构位于该第二基板内，且该第二基板的材质包括光敏感材料。
10.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中该光敏感材料包括稀有金属、金、银或上述组合物。
11.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中该第二基板的折射率介于1.3至2.0之间。
12.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中该些第二导光微结构周期分布。
13.根据权利要求12所述的有机发光装置，其中该些第二导光微结构的分布密度介于100个/毫米至600个/毫米之间。
14.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中该些第二导光微结构非周期分布。
15.根据权利要求14所述的有机发光装置，其中该些第二导光微结构的分布密度介于1000个/毫米至2000个/毫米之间。
16.根据权利要求9所述的有机发光装置，其中该些第二导光微结构的形状包括矩形、半圆形、三角形或阶梯状。
17.根据权利要求1所述的有机发光装置，其中该有机发光单元包括：
一第一电极；
一第二电极，与该第一电极平行配置；以及
一发光层，配置在该第一电极与该第二电极之间，其中该第一电极与该第二电极至少一者为透明的电极。
18.根据权利要求1所述的有机发光装置，还包括用以驱动该有机发光单元的一主动元件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
