[发明专利]有机发光装置无效
申请号: | 201210101357.X | 申请日: | 2012-04-05 |
公开(公告)号: | CN103367643A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 张嘉雄;王文俊 | 申请(专利权)人: | 东莞万士达液晶显示器有限公司;胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 523119 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 装置 | ||
技术领域
本发明是有关一种发光装置,且特别是关一种有机发光装置。
背景技术
有机发光装置(Organic light emitting device,OLED)因其自发光、无视角依存、省电、制程简易、低成本、低温度操作范围、高应答速度以及全彩化等优点而具有极大的应用潜力,可望成为新世代平面显示器的照明光源主流。
一般而言,有机发光装置包括一第一基板、一配置在第一基板上的有机发光单元以及封装有机发光单元的一第二基板,其中有机发光单元包括两电极夹挤一发光层。普遍而言,发光层所发出的光在大角度下朝向基板(第一基板或第二基板)射出时,有因全反射(Total Internal Reflection,TIR)而局限于有机发光装置内的问题,导致有机发光装置的出光效率不高。
目前,已有技术针对有机发光装置的出光效率进行改良。例如是通过在基板的表面形成微透镜阵列(micro lens array)或是微结构,然而此种方法需额外对基板进行加工,且基板与微结构之间容易有贴附、对位不佳等问题,因此较不利于制作。另外,又例如是通过在基板与发光层之间配置一层光子晶体结构或是低折射系数的光栅,然而此种方法亦对有机发光单元的膜层的均匀性造成影响,使得局部电场过大而使得有机发光装置的寿命降低。因此,如何在不影响有机发光装置的寿命以及易于制作的前提下,提升有机发光装置的出光效率实为目前研发人员急欲解决的议题之一。
发明内容
本发明提供一种有机发光装置,其具有优良的出光效率。
本发明提供一种有机发光装置,其包括一第一基板、一与第一基板平行配置的第二基板以及一配置在第一基板与第二基板之间的有机发光单元。第一基板具有多个第一导光微结构。第一导光微结构的分布密度介于100个/毫米至2000个/毫米之间,其中第一导光微结构位于第一基板内,且第一基板的材质包括光敏感材料。
在本发明的一实施例中,前述的光敏感材料包括稀有金属、金、银或上述组合物。
在本发明的一实施例中,前述的第一基板的折射率介于1.3至2.0之间。
在本发明的一实施例中,前述的第一导光微结构周期分布。
在本发明的一实施例中,前述周期分布的第一导光微结构的分布密度介于100个/毫米至600个/毫米之间。
在本发明的一实施例中,前述的第一导光微结构非周期分布。
在本发明的一实施例中,前述非周期分布的第一导光微结构的分布密度介于1000个/毫米至2000个/毫米之间。
在本发明的一实施例中,前述的第一导光微结构的形状包括矩形、半圆形、三角形或阶梯状。
在本发明的一实施例中,前述的第二基板具有多个第二导光微结构,第二导光微结构的分布密度介于100个/毫米至2000个/毫米之间,其中第二导光微结构位于第二基板内,且第二基板的材质包括光敏感材料。
在本发明的一实施例中,前述的光敏感材料包括稀有金属、金、银或上述组合物。
在本发明的一实施例中,前述的第二基板的折射率介于1.3至2.0之间。
在本发明的一实施例中,前述的第二导光微结构周期分布。
在本发明的一实施例中,前述周期分布的第二导光微结构的分布密度介于100个/毫米至600个/毫米之间。
在本发明的一实施例中,前述的第二导光微结构非周期分布。
在本发明的一实施例中,前述非周期分布的第二导光微结构的分布密度介于1000个/毫米至2000个/毫米之间。
在本发明的一实施例中,前述的第二导光微结构的形状包括矩形、半圆形、三角形或阶梯状。
在本发明的一实施例中,前述的有机发光单元包括一第一电极、一第二电极以及一发光层。第二电极与第一电极平行配置,而发光层配置在第一电极与第二电极之间,其中第一电极与第二电极至少一者为透明的电极。
在本发明的一实施例中,前述的有机发光单元为被动式有机发光单元。
在本发明的一实施例中,前述的有机发光单元为主动式有机发光单元。
在本发明的一实施例中,前述的有机发光装置还包括用以驱动有机发光单元的一主动元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择