[发明专利]一种TFT阵列基板像素点修复制造方法无效
| 申请号： | 201210101988.1 | 申请日： | 2012-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN102623401A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 陈龙龙;李喜峰;张建华 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 像素 修复 制造 方法 | ||
1.一种TFT阵列基板像素点修复制造方法，其特征在于，TFT阵列基板像素点修复分为两个步骤：①首先是转移用TFT点像素制造及准备工艺制备TFT点像素(20)，②其次是对TFT阵列基板TFT缺陷点进行修复。
2.根据权利要求书1所述的一种TFT阵列基板像素点修复制造方法，其特征在于：所述步骤①中转移用的TFT点像素制造及准备工艺，其工艺步骤如下：1）在洁净的单晶硅晶圆(10)上热生长一层氧化硅层(11)，作为TFT有源矩阵转移的牺牲层；2）在氧化硅层(11)上涂布一层抗蚀层(12)，并在其上生长一层栅极金属层(13)；3）对栅极金属层(13)作图形化处理，制作出TFT有源矩阵的栅金属电极图形；4）在TFT有源矩阵的栅金属电极之上生长绝缘层(14)、有源层(15)，并将有源层(15)图形化处理得到硅岛；5）溅射TFT有源矩阵的源漏电极层(16)，并作图形化处理，得到源漏金属电极图形；6）生长氮化硅保护层(17)；7）图形化处理，将氮化硅(17)刻蚀后将需电接触处的栅金属电极、源漏金属电极暴露出来；8）生长ITO像素电极层(18)，图形化处理得到像素电极图形；9）再次涂布抗蚀层(19)；10）利用微机械加工工艺刻蚀掉氧化硅层(11)，将TFT阵列从单晶硅晶圆(10)上剥离下来；11）将剥离下来的TFT阵列基板(40)放置于抗蚀层剥离液中，去除掉抗蚀层(12)与抗蚀层(19)；12）利用激光切割方法，将制作好的TFT阵列基板(40)切割成TFT点像素(20)，供后续转移工艺使用。
3.根据权利要求书2所述的一种TFT阵列基板像素点修复制造方法，其特征在于：所述步骤②中对TFT阵列基板TFT缺陷点进行修复的工艺，其工艺步骤如下：1）精确定位TFT阵列基板(40)存在缺陷点的位置，并利用激光切割等方法将TFT缺陷点(30)切割下来，并将其转移到TFT阵列基板(40)之外；2）将制备好的TFT点像素(20)精确转移至原TFT缺陷点(30)位置处并固定；3）TFT阵列基板(40)上有多个TFT缺陷点(30)存在时，重复前述1）、2）步骤，直至所有TFT缺陷点(30)全部替换；4）将此TFT阵列基板(40)置于一定气体环境氛围(50)的腔体中，利用采用电气层自组装方式使转移来的TFT点像素(20)与原TFT阵列基板(40)各层膜层形成电气连接，TFT阵列基板修复完成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
