[发明专利]一种TFT阵列基板像素点修复制造方法

说明书

技术领域

       本发明涉及一种平板显示屏制造领域的制造方法，具体的说是一种TFT阵列基板像素点修复的制造方法，采用微机械加工艺方法可以对存在缺陷的TFT阵列基板进行单点修复。

背景技术

TFT英文全称为Thin Film Transistor，意思为薄膜晶体管。

       TFT阵列基板采用如下的工艺制造流程制作：首先在清洗洁净的TFT玻璃基板上溅射底栅金属层，通过光刻工艺将底栅金属层图形化处理，得到底栅电极的图形；接着在图形化后的底栅金属层之上依次淀积绝缘层、有源层及欧姆接触层；接下来图形化处理有源层以及欧姆接触层，形成硅岛结构；再溅射金属源漏电极层，图形化处理后得到TFT有源矩阵的源、漏电极，并做干刻处理将沟道处欧姆接触层刻蚀去除，形成TFT沟道；接着沉积保护层，图形化处理后干刻打孔制作成引线接孔；再沉积一层像素电极层，图形化制作成像素电极结构；最后制作一层平坦化层结构，TFT有源矩阵制作工艺结束。

       TFT阵列基板加工制作完成之后，由于制作工艺条件等各种原因，部分TFT阵列基板之上会出现较多的点缺陷、线缺陷，例如亮点、暗点、暗线等，会使画面显示图像残缺，此种基板往往会处理为废片，造成生产成本的浪费。

       本发明提出一种采用微机械加工方法来修复存在缺陷的TFT阵列基板的方法，首先对TFT阵列基板上TFT缺陷点处位置精确定位，再采用激光切割方式将存在点缺陷像素切割且移除，再将采用微机械加工工艺制作完成的单个TFT点像素填补至此位置并定位精确，再采用电气层自组装方式将各层膜层分别连接起来，完成此TFT点像素与TFT阵列基板电气性能的连接。采用本发明的方法，可以使存在缺陷的样品再利用，大大提高工业生产的良率，降低生产制造成本。

发明内容

本发明的目的是针对己有技术存在的缺陷提供一种TFT阵列基板像素点修复制造方法，该方法将存在缺陷的TFT阵列基板处TFT缺陷点移除，并转移来有良好性能的TFT点像素作为替代，可以将存在缺陷的TFT基板阵列再利用，大大提高工业生产的良率，降低生产制造成本。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种TFT阵列基板像素点修复制造方法，其特征在于，TFT阵列基板像素点修复分为两个步骤：①首先是转移用TFT点像素制造及准备工艺制备TFT点像素，②其次是对TFT阵列基板TFT缺陷点进行修复。

上述转移用TFT点像素制造及准备工艺的步骤如下：

（1）在洁净的单晶硅晶圆上热生长一层氧化硅层，作为TFT有源矩阵转移的牺牲层；

（2）在氧化硅层上涂布一层抗蚀层，并在其上生长一层栅极金属层；

（3）对栅极金属层作图形化处理，制作出TFT有源矩阵的底栅金属电极图形；

（4）在TFT有源矩阵的底栅金属电极之上生长绝缘层、有源层，并将有源层图形化处理得到硅岛；

（5）溅射TFT有源矩阵的源漏电极层，并作图形化处理，得到源漏金属电极；

（6）生长氮化硅保护层；

（7）图形化处理，将氮化硅刻蚀后将需电接触处的栅电极、源漏电极暴露出来；

（8）生长ITO像素电极层，图形化处理得到像素电极图形；

（9）再次涂布抗蚀层；

（10）利用微机械加工工艺刻蚀掉氧化硅层，将TFT阵列从单晶硅晶圆上剥离下来；

（11）将剥离下来的TFT有源矩阵放置于抗蚀层剥离液中，去除掉上下两层抗蚀层；

（12）利用激光切割等方法，可以将制作好的TFT阵列切割成TFT点像素，供后续转移工艺使用。

上述对TFT阵列基板TFT缺陷点时行修复的工艺步骤如下：

（1）精确定位TFT阵列基板存在缺陷点的位置，并利用激光切割等方法将TFT缺陷点切割下来，并将其转移到TFT阵列基板之外；

（2）将准备的TFT点像素精确转移至原TFT缺陷点位置处并固定；

（3）TFT阵列基板上有多个缺陷点存在时，重复上述（1）、（2）步骤，直至所有缺陷点全部替换；

（4）将此TFT阵列基板置于一定气体环境氛围的腔体中，利用采用电气层自组装方式使转移来的TFT点像素与原TFT阵列基板各层膜层形成电气连接，TFT阵列基板修复完成。

至此，一种TFT阵列基板像素点修复制造方法工艺步骤全部完成。