[发明专利]用于ESD的垂直BJT和SCR

权利要求书

1.一种静电放电(ESD)保护器件，包括：

阱区，由具有第一掺杂类型的半导体材料形成；

浮置基极，由具有第二掺杂类型的半导体材料形成，所述浮置基极垂直设置在所述阱区的上方；

第一终端接收区，由具有第三掺杂类型的半导体材料形成，所述第一终端接收区垂直设置在所述浮置基极的上方；以及

第二终端接收区，由具有第三掺杂类型的半导体材料形成，所述第二终端接收区通过浅沟槽隔离(STI)区与所述第一终端接收区横向间隔分开以形成双极结型晶体管(BJT)。

2.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中，所述浮置基极与所述阱区和所述第一终端接收区直接接触。

3.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中，所述浮置基极的侧面部分与所述STI区直接接触。

4.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中，所述阱区的一部分由至少一个鳍片形成。

5.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中，所述浮置基极由至少一个鳍片形成。

6.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中，具有所述第一掺杂类型的半导体材料是n-型，具有所述第二掺杂类型的半导体材料是p-型，以及具有所述第三掺杂类型的半导体材料是相对于所述n-型的重掺杂n-型。

7.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中，具有所述第一掺杂类型的半导体材料是p-型，具有所述第二掺杂类型的半导体材料是n-型，以及具有所述第三掺杂类型的半导体材料是相对于所述p-型的重掺杂p-型。

8.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中，形成所述第一终端接收区和所述第二终端接收区的所述半导体材料是外延生长半导体材料。

9.一种静电放电(ESD)保护器件，包括：

阱区，由具有第一掺杂类型的半导体材料形成；

浮置基极，由具有第二掺杂类型的半导体材料形成，所述浮置基极垂直设置在所述阱区的上方；

第一终端接收区，由具有第三掺杂类型的半导体材料形成，所述第一终端接收区垂直设置在所述浮置基极的上方；以及

第二终端接收区，由具有第四掺杂类型的半导体材料形成，所述第二终端接收区通过浅沟槽隔离(STI)区与所述第一终端接收区横向间隔分开以形成硅可控整流器(SCR)。

10.一种形成ESD保护器件的方法，包括：

蚀刻具有第一掺杂类型的半导体材料以限定鳍片和阱区；

将第二掺杂类型的杂质引入至所述鳍片中选定鳍片的上部内以形成浮置基极；

在所述阱区的上方、在所述鳍片之间、在所述浮置基极的上方形成浅沟槽隔离(STI)区；

蚀刻所述STI区以形成直接位于所述浮置基极和所述鳍片中剩余鳍片的上方的凹槽；

在所述凹槽中外延生长半导体材料以形成第一终端接收区和第二终端接收区；以及

将杂质引入至所述第一终端接收区和所述第二终端接收区内。