[发明专利]阵列基板、具有其的液晶显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

一基板；

一层状电极，设于所述基板上，所述层状电极包括一导电层及一第一蚀刻阻挡层，所述导电层覆盖于所述第一蚀刻阻挡层；以及

一开关元件，设于所述基板上且电性连接所述层状电极，所述开关元件具有一第二蚀刻阻挡层，其中，

所述第二蚀刻阻挡层与所述第一蚀刻阻挡层为同层材料。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二蚀刻阻挡层与所述第一蚀刻阻挡层同时形成。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层状电极更包括一介电层及/或一另一导电层。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述介电层选择自氧化物、硅化物、氮化物、氮氧化物、树脂及其组合所构成的群组，所述导电层及所述另一导电层选择自金属、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锌氧化物及其组合所构成的群组。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层状电极作为一像素电极及/或一共同电极。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层状电极的高度为2μm至10μm，且所述层状电极的最大宽度为2μm至20μm。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层状电极的各层宽度不同。

8.一种液晶显示装置，其特征在于，包括：

一第一基板及与所述第一基板相对而设的一第二基板；

一介质层，设于所述第一基板与所述第二基板之间；

一层状电极，设于所述第一基板上，所述层状电极包括一导电层及一第一蚀刻阻挡层，所述导电层覆盖于所述第一蚀刻阻挡层；以及

一开关元件，设于所述第一基板上且电性连接于所述层状电极，所述开关元件具有一第二蚀刻阻挡层，其中，

所述第一蚀刻阻挡层及所述第二蚀刻阻挡层为同层材料。

9.如权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，所述第二蚀刻阻挡层与所述第一蚀刻阻挡层同时形成。

10.如权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，所述介质层为一液晶层或一蓝相液晶层，所述开关元件为一薄膜晶体管阵列。

11.如权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，所述层状电极更包括一介电层及/或一另一导电层。

12.如权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于，所述介电层选择自氧化物、硅化物、氮化物、氮氧化物、树脂及其组合所构成的群组，所述导电层及所述另一导电层选择自金属、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锌氧化物及其组合所构成的群组。

13.如权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，所述层状电极的高度为2μm至10μm，所述层状电极的最大宽度为2μm至20μm。

14.如权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，所述开关元件为一薄膜晶体管阵列。

15.如权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，所述层状电极的各层宽度不同。

16.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一第一基板；

形成一层状电极在所述第一基板上，所述层状电极包括一导电层及一第一蚀刻阻挡层，所述导电层覆盖于所述第一蚀刻阻挡层；

形成一开关元件在所述第一基板上且位于所述层状电极的一侧，所述开关元件具有一第二蚀刻阻挡层，且所述第一蚀刻阻挡层及所述第二蚀刻阻挡层为同层材料；

电性连接所述层状电极及所述开关元件；

提供一第二基板；

对组所述第一基板与所述第二基板；以及

形成一介质层在所述第一基板及所述第二基板之间。

17.如权利要求16所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述第一蚀刻阻挡层及所述第二蚀刻阻挡层同时形成。