[发明专利]阵列基板、具有其的液晶显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种阵列基板及制造此种阵列基板的方法，且特别是有关于一种具有此种阵列基板的液晶显示装置。

背景技术

近年来，液晶显示器已经广泛应用于电子产品的显示荧幕。液晶显示器有许多不同的形式，包括扭转向列(twister nematic)，超扭曲向列(super twisted nematic，STN)，平面切换(in-plane switching)，多区域垂直排列(multi-domain vertical alignment，MVA)等。当施加电压时可以控制液晶分子的旋转方向，并调变光的偏振方向，进而影响光通过量而造成亮态及暗态的反差作为显示结果。

为了控制液晶分子方向，传统使用向列型液晶(nematic liquid crystal)的形式的显示器，常将基板的表面配向处理以控制液晶分子的配向，例如进行摩擦(rubbing)处理，用布材摩擦与液晶接触的基板表面上所涂布的配向膜表面，不但使工艺成本升高且容易降低显示品质。且前述使用向列(nematic)液晶的显示器，其应答时间过长，不利于色序法的动态图像显示的应用，需要设置彩色滤光片薄膜来呈现彩色的显示效果。因此，生产成本及工艺复杂度较高。

发明内容

本发明是有关于一种阵列基板及制造此种阵列基板的方法，具有此种阵列基板的液晶显示装置，可以降低驱动电压。

根据本发明的第一方面，提出一种阵列基板，包括一基板、一层状电极及一开关元件。层状电极设于基板上，包括一导电层及一第一蚀刻阻挡层，导电层覆盖于第一蚀刻阻挡层。开关元件设于基板上且电性连接层状电极，开关元件具有一第二蚀刻阻挡层，且第一及第二蚀刻阻挡层为同层材料。

根据本发明的第二方面，提出一种液晶显示装置，包括一第一基板、一第二基板、一介质层及一层状电极。第一及第二基板相对而设。介质层设于第一基板与第二基板之间。层状电极设于第一基板上，层状电极包括一导电层及一第一蚀刻阻挡层，导电层覆盖于第一蚀刻阻挡层。开关元件，设于第一基板上且电性连接于层状电极，开关元件具有一第二蚀刻阻挡层，且第一及第二蚀刻阻挡层为同层材料。

根据本发明的第三方面，提出一种液晶显示装置的制造方法。方法包括以下步骤。提供一第一基板。形成一层状电极于第一基板上，层状电极包括一导电层及一第一蚀刻阻挡层，导电层覆盖于第一蚀刻阻挡层。形成一开关元件在基板上且位于层状电极的一侧，开关元件具有一第二蚀刻阻挡层，且第一及第二蚀刻阻挡层为同层材料。电性连接层状电极及开关元件。提供一第二基板。对组第一基板与第二基板。形成一介质层于第一基板及第二基板之间。

本发明实施例的阵列基板的制造方法，不需要过度复杂的工艺方法，使用既有的工艺机台即可以提升层状电极的整体高度。本发明实施例的阵列基板因为堆叠有较高的层状电极，相较于传统较低的单层电极，在施加相同的电压下，可以提供较大的水平电场强度，因而可应用在需要较大电场才可以驱动高分子安定化蓝相液晶显示装置中。此外，本发明实施例的液晶显示装置可以在单一阵列基板上形成开关元件、遮光层及间隙调整单元层，因此，仅需要对单一基板进行制造加工，可以简化工艺。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的限定。在附图中：

图1绘示发明人所知悉的蓝相液晶的显示装置示意图。

图2～7、8A～8C、9A～9C绘示依照本发明一实施例的阵列基板的制造流程剖面示意图。

图10A～图10F绘示依照本发明一实施例的层状电极在不同形式的示意图。

图11A～图11B绘示依照本发明一实施例的阵列基板的制造方法的流程图。

图12～图16绘示依照本发明另一实施例的阵列基板的制造流程示意图。

图17～图23绘示依照本发明一实施例的阵列基板的制造流上视示意图。

图24A～图24C绘示如图23的层状电极的其他形式的示意图。

图25A～图25B绘示依照本发明第二实施例的阵列基板的制造方法的流程图。

附图标号：

10：显示装置

20-1’、20-1～20-5、30：液晶显示装置

100、120、200、300：基板

101、121：偏光板

102、104：电极

110：介质层

113：电场