[发明专利]一种提高铜铬合金电导率的方法无效
申请号: | 201210104597.5 | 申请日: | 2012-04-11 |
公开(公告)号: | CN102644042A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 张瑞军;郑春雷;闫志刚;刘建华 | 申请(专利权)人: | 燕山大学 |
主分类号: | C22F1/08 | 分类号: | C22F1/08;C22C9/00 |
代理公司: | 石家庄一诚知识产权事务所 13116 | 代理人: | 续京沙 |
地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 合金 电导率 方法 | ||
技术领域
本发明属于金属材料领域,特别涉及一种提高铜铬合金电导率的方法。
背景技术
铜铬合金具有较高的耐电压强度、优良的抗熔焊性能和载流能力及很低的截断电流,已在触头材料方面得到了广泛应用。制备铜铬合金的方法主要有:粉末烧结法、熔渗法、电弧熔炼法、真空感应熔炼法、快速凝固法及爆炸烧结法等。其中熔渗法是最早用来制备铜铬合金的一种方法。采用熔渗法制备的铜铬合金具有较高机械强度和抗电蚀能力,耐压强度优于烧结法制备的触头,且氧含量低,较适合制备铬含量较高的铜铬合金,该工艺已成为国内生产触头的主流生产技术。但在高温熔渗时,铬在铜基体中溶解度较高,冷却后形成过饱和固溶体,且所制备的铜铬合金致密性较差,使其电导率降低。目前,提高熔渗铜铬合金电导率的方法主要是合金成分的优化及热处理(固溶、时效处理),但采用上述方法对提高铜铬合金的电导率仍有限。
发明内容
本发明的目的在于提供一种易于操控、质量稳定、能有效提高铜铬合金电导率的方法。本发明主要是采用高压热加工工艺。
本发明的方法如下:
1、原料:铜铬合金的化学成分以质量分数wt%为:铬Cr 40%~50%,其余量为铜。
2、高压处理:将上述铜铬合金放在六面顶压机上进行高压处理,压力为1~3GPa,加热温度为850~920℃,保温时间为20~30min,断电保压自然冷却至室温。
3、时效处理:将上述经过高压处理的铜铬合金放在电阻炉中,加热温度为470~520℃,保温60~120min后空冷至室温。
本发明所采用的高压处理,一方面,可以消除残余显微孔隙、疏松等缺陷,提高铜铬合金的致密性;另一方面,可以大大增加合金内部位错等缺陷,造成点阵畸变及内能的升高, 为析出相的形核及生长提供有利条件。随后再对经高压处理后的铜铬合金进行时效处理,可以使Cu基体中过饱和Cr脱溶析出,位错等缺陷的消除,加上铜铬合金致密性的提高,其结果降低了对电子的散射作用,提高了铜铬合金的电导率。
本发明与现有技术相比具有如下优点:
1、工艺简单易于操控,质量稳定。
2、经过该方法处理的铜铬合金可获得较高的电导率,且组织更加均匀致密。与未经过处理的铜铬合金相比电导率可提高30~32%,与经过常规热处理的提高合金相比电导率提高5%。
具体实施方式:
下面通过实施例详述本发明。
实施例1
取化学成分(质量分数wt%)为铜52.02%、铬47.98的铜铬合金,将其放在CS-ΙΙB型六面顶压机上进行高压处理,压力为1GPa,加热温度为920℃,保温时间为20min,断电保压冷却至室温。然后再将上述经过高压处理后的铜铬合金放在KLX-12B型箱式电阻炉中进行时效处理,加热温度为470℃,保温时间为120min,出炉空冷。其电导率的测试结果见表1。
实施例2
取化学成分(质量分数wt%)为铜50.00%、铬50.00%的铜铬合金,将其放在CS-ΙΙB型六面顶压机上进行高压处理,压力为3GPa,加热温度为850℃,保温时间为30min,断电保压冷却至室温。然后再将上述经过高压处理后的铜铬合金放在KLX-12B型箱式电阻炉中进行时效处理,加热温度为500℃,保温时间为90 min,出炉空冷。其电导率的测试结果见表1。
实施例3
取化学成分(质量分数wt%)为铜60.00%、铬40.00%的铜铬合金,将其放在CS-ΙΙB型六面顶压机上进行高压处理,压力为2GPa,加热温度为880℃,保温时间为25min,断电保压冷却至室温。然后再将上述经过高压处理后的铜铬合金放在KLX-12B型箱式电阻炉中进行时效处理,加热温度为520℃,保温时间为60min,断电保压冷却至室温。其电导率的测试结果见表1。
表1 不同状态下铜铬合金的电导率测试结果
注:固溶+时效:960℃固溶30min+500℃时效120min。
上述实验结果表明:铜铬合金经本发明方法处理后具有较高的电导率,高于实施例前和常规热处理工艺(固溶+时效)处理后铜铬合金的电导率。
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