[发明专利]芯片互连用铜-锡界面合金共化物微拉伸试样的制备方法

权利要求书

1.一种芯片互连用铜-锡界面合金共化物微拉伸试样的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，在玻璃基片上，甩光刻胶，并在其上溅射Cr/Cu种子层；

第二步，在Cr/Cu种子层上，依次进行甩光刻胶、曝光、显影处理，根据掩膜版的设计形状完成铜层光刻胶的图形化；在图形化的Cr/Cu种子层上，电镀出铜薄膜层；

第三步，在电镀的铜层表面，依次进行甩光刻胶、曝光、显影处理，根据掩膜版的设计形状完成锡层光刻胶的图形化；在图形化的Cr/Cu种子层上，电镀出锡薄膜层；

第四步，去除图形化的光刻胶，然后以平面加工技术，将上述的铜层和锡层进行平坦化加工，实现锡层和铜层的表面齐平；

第五步，最后去除Cr/Cu种子层并用丙酮去除用于牺牲层的光刻胶，完成试样的释放，并通过回流，得到铜锡界面合金共化物。

2.根据权利要求1所述的芯片互连用铜-锡界面合金共化物微拉伸试样的制备方法，其特征是，所述铜锡界面合金共化物试样的尺寸在微米级，其中锡薄膜层的长度或宽度范围为5～100μm。

3.根据权利要求2所述的芯片互连用铜-锡界面合金共化物微拉伸试样的制备方法，其特征是，所述的铜锡界面合金共化物中的铜锡含量可控。

4.根据权利要求1所述的芯片互连用铜-锡界面合金共化物微拉伸试样的制备方法，其特征是，所述的电镀金属铜层或锡层，其厚度通过电流密度和电镀时间调节。

5.根据权利要求1-4任一项所述的芯片互连用铜-锡界面合金共化物微拉伸试样的制备方法，其特征是，所述的掩膜版形状根据需要进行不同的形状设计。

6.根据权利要求1-4任一项所述的芯片互连用铜-锡界面合金共化物微拉伸试样的制备方法，其特征是，第一步中，所述的光刻胶，其厚度为5～50μm，用作最后试样释放的牺牲层。