[发明专利]去除晶片后侧上的微粒有效
申请号: | 201210107221.X | 申请日: | 2012-04-12 |
公开(公告)号: | CN103065934A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 林训鹏;张兴国;钟含智;王粤智;谢其仁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B08B1/00 |
代理公司: | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;房岭梅 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 去除 晶片 后侧上 微粒 | ||
1.一种用于制造半导体器件的装置,包括:
机械结构,用于固定半导体晶片的位置,所述晶片具有前表面和后表面;以及
晶片清洁设备,用于清洁所述后表面上的所述晶片的预定区域,其中,所述晶片的所述预定区域至少部分地与一个或多个对准标记重叠。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述装置是晶片处理系统的部件。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述装置安装在所述晶片处理系统的晶片预对准单位内。
4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述晶片清洁设备包括刷子,用于刷掉所述后表面上的所述晶片的所述预定区域中的污染微粒。
5.根据权利要求4所述的装置,其中,所述晶片清洁设备包括排放部件,用于收集和排出通过所述刷子刷掉的晶片微粒。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,所述晶片的所述预定区域被定位为接近所述晶片的边缘。
7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述晶片的所述预定区域具有圆环形状。
8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述晶片的所述预定区域与所述晶片的外缘隔开预定距离。
9.一种半导体制造系统,包括:
晶片处理系统,包括晶片预对准单元;以及
晶片清洁机构,安装在所述晶片预对准单元内,所述晶片清洁机构用于从所述晶片的后侧清洁半导体晶片的边缘区域,其中,所述晶片清洁机构包括:
刷子,用于从所述晶片的后侧的边缘区域刷掉污染微粒;以及
排放部件,用于聚集刷掉的污染微粒。
10.一种制造半导体器件的方法,包括:
将半导体晶片加载到晶片处理系统中,所述半导体晶片具有前侧和后侧以及一个或多个对准标记;
将所述晶片的边缘区域中的污染微粒从所述后侧去除,其中,所述一个或多个对准标记位于所述边缘区域中;以及
收集去除的污染微粒,并将收集的污染微粒丢弃到所述晶片处理系统外。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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