[发明专利]去除晶片后侧上的微粒

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，涉及去除晶片后侧上的微粒。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。IC材料和设计的技术进步制造了多代IC，每一代都具有比前一代更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂性，并且对于将被实现的这些进步来说，需要IC处理和制造的类似开发。在IC演进的过程中，功能密度(即，每芯片面积互连器件的数量)普遍增加，同时几何尺寸(即，可使用制造工艺制造的最小部件(或线))减小。这种比例缩小的工艺通常通过增加生产效率和降低相关成本来提供优势。

随着比例缩小继续开发工艺，对准和覆盖问题由于不断减小的器件尺寸而变得更加重要。制造期间的小对准或覆盖错误会导致晶片的失败。在传统的半导体制造工艺中，各种器件和技术用于使制造期间的未对准最小。例如，对准标记可用于在它们被加载到半导体制造工具中时确保晶片之间的正确对准。又例如，晶片平整系统可用于确保制造期间晶片是平坦的。然而，对于传统的半导体制造工艺来说，如果由各种制造工艺生成的微粒位于晶片边缘区域的后侧，则这些微粒仍然会引起对准问题。因此，传统的半导体制造工艺有时会制造失败的晶片，从而降低产量并增加制造成本。

因此，虽然现有的半导体制造工艺通常足以用于它们预期的目的，但它们不能在每个方面都完全满足要求。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种用于制造半导体器件的装置，包括：机械结构，用于固定半导体晶片的位置，晶片具有前表面和后表面；以及晶片清洁设备，用于清洁后表面上的晶片的预定区域，其中，晶片的预定区域至少部分地与一个或多个对准标记重叠。

其中，装置是晶片处理系统的部件。

其中，装置安装在晶片处理系统的晶片预对准单位内。

其中，晶片清洁设备包括刷子，用于刷掉后表面上的晶片的预定区域中的污染微粒。

其中，晶片清洁设备包括排放部件，用于收集和排出通过刷子刷掉的晶片微粒。

其中，晶片的预定区域被定位为接近晶片的边缘。

其中，晶片的预定区域具有圆环形状。

其中，晶片的预定区域与晶片的外缘隔开预定距离。

此外，还提供了一种半导体制造系统，包括：晶片处理系统，包括晶片预对准单元；以及晶片清洁机构，安装在晶片预对准单元内，晶片清洁机构用于从晶片的后侧清洁半导体晶片的边缘区域，其中，晶片清洁机构包括：刷子，用于从晶片的后侧的边缘区域刷掉污染微粒；以及排放部件，用于聚集刷掉的污染微粒。

其中，晶片具有位于晶片的边缘区域中的一个或多个对准标记。

其中，刷子用于随着晶片的旋转刷晶片，从而创建晶片上的清洁路径，以及其中，一个或多个对准标记与清洁路径重叠。

其中，清洁路径被成形为圆环，圆环的环宽度基本上等于刷子的长度。

其中，清洁路径与晶片的外缘隔开预定距离。

其中，刷子包括防静电刷子。

其中，排放部件包括管道和真空发生器。

此外，还提供了一种制造半导体器件的方法，包括：将半导体晶片加载到晶片处理系统中，半导体晶片具有前侧和后侧以及一个或多个对准标记；将晶片的边缘区域中的污染微粒从后侧去除，其中，一个或多个对准标记位于边缘区域中；以及收集去除的污染微粒，并将收集的污染微粒丢弃到晶片处理系统外。

其中，加载晶片的步骤包括：将晶片加载到晶片处理系统的晶片预对准单元中。

其中，去除的步骤包括：在晶片旋转的同时使用防静电刷子刷边缘区域。

其中，收集的步骤包括：将去除的污染微粒吸进管道中。

其中，晶片的边缘区域被成形为具有预定宽度的圆环，以及其中，圆环的外边界与晶片的外缘隔开预定距离。

附图说明

当阅读附图时，根据以下详细描述更好地理解本公开的一个或多个方面。应该强调的是，根据工业的标准实践，各种部件没有按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚，可以任意增加或减小各种部件的尺寸。

图1是示出根据本公开各个方面的用于执行晶片清洁工艺的方法的流程图。

图2至图3是根据本公开各个方面的半导体晶片的简化示意性截面图。

图4是根据本公开各个方面的半导体晶片的顶视图。

图5是根据本公开各个方面的晶片清洁装置的简化框图。

图6是根据本公开各个方面的晶片清洁装置的简化透视图。

图7是根据本公开各个方面的半导体晶片的示意性顶视图。