[发明专利]垂直沟道晶体管有效
| 申请号： | 201210107533.0 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN103378127A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 沟道 晶体管 | ||
1.一种垂直沟道晶体管，其特征在于，包括：
基底，包括至少一对相对设置的第一凹槽和第二凹槽；
埋入式位线，设置于所述第一凹槽的底部；
第一源/漏极区，电连接于所述埋入式位线；
第二源/漏极区，紧邻所述第一凹槽的顶部；
绝缘栅极导线，埋入所述第二凹槽的底部；
半导体层，设置于所述第二凹槽内并且紧邻于所述绝缘栅极导线；
相对于外延层而设置的扩散区，其中所述外延层和所述扩散区间夹有第一绝缘层；
前栅极，位于所述基底的第一侧面上；及
后栅极，位于所述基底相对于所述第一侧面的第二侧面上。
2.根据权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，所述埋入式位线包括两层：金属底层和外延顶层。
3.根据权利要求2所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，所述外延顶层电连接于所述第一源/漏极区。
4.根据权利要求2所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，所述第一源/漏极区位于所述扩散区的底面和顶面间。
5.根据权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，所述绝缘闸极导线的顶面低于所述埋入式位线的顶面。
6.根据权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，所述绝缘栅极导线有一负电位。
7.根据权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，所述半导体层是多晶硅层。
8.根据权利要求7所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，所述半导体层是重掺杂多晶硅层。
9.根据权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，还包括第一绝缘层，位于所述半导体层上。
10.根据权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，所述扩散区的底面和顶面包夹住所述第一源/漏极区。
11.根据权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，所述扩散区和所述第一源/漏极区及所述第二源/漏极区均保持距离。
12.根据权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，所述扩散区的导电型相同于所述外延层的导电型。
13.根据权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其特征在于，所述扩散区的导电型不同于所述第一源/漏极区和所述第二源/漏极区的导电型。
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