[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体底材，具有沟槽；

电容器导电材料，位在沟槽内；

电介质层，位在沟槽中且包围电容器导电材料；以及

导电阻挡层，位在在电容器导电材料和半导体底材之间，被电介质层围绕，而且直接接触电容器导电材料和半导体底材，作为电性连接电容器导电材料和半导体底材的缩减埋藏式连接带结构。

2.根据权利要求1的半导体结构，其特征在于电介质层围绕且直接接触导电阻挡层。

3.根据权利要求1的半导体结构，其特征在于导电阻挡层同时位在电容器导电材料、电介质层和半导体底材之间。

4.根据权利要求1的半导体结构，其特征在于电介质层包含第一介质层以及第二介质层，其中，第一介质层和第二介质层不同，且分别具有互补的倾斜面。

5.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供位在半导体底材中的沟槽、电容器导电材料、第一介质层、第一导电阻挡层和第二导电阻挡层，其中，电容器导电材料位在沟槽内且具有凹槽、第一介质层围绕电容器导电材料，第一导电阻挡层位在电容器导电材料和半导体底材之间，而第二导电阻挡层位在凹槽中；

在沟槽中填满第一介质层；

利用回蚀技术去除填满沟槽中部分的一介质层，使得第一介质层形成位在凹槽上的倾斜面，且暴露出电容器导电材料；

利用修整刻蚀技术去除部分暴露出的电容器导电材料，且同时移除部分的第一导电阻挡层，而缩小第一导电阻挡层的面积且暴露出部分的半导体底材；以及

在沟槽中填满第二介质层，覆盖电容器导电材料和缩小后第一导电阻挡层，使得第一导电阻挡层位在电容器导电材料和半导体底材间，且直接接触电容器导电材料和半导体底材，作为电连接电容器导电材料和半导体底材的缩减埋藏式连接带结构。

6.根据权利要求5的半导体结构的制备方法，其特征在于在沟槽中填满第一介质层前，移除第二导电阻挡层。

7.根据权利要求5的半导体结构的制备方法，其特征在于填满沟槽的第一介质层具有不平坦的表面。

8.根据权利要求7的半导体结构的制备方法，其特征在于利用不平坦的表面和回蚀技术形成位在凹槽上的倾斜面。

9.根据权利要求5的半导体结构的制备方法，其特征在于使用时间模式和终点模式其中的至少一者准确控制修整刻蚀技术，准确缩小第一导电阻挡层的面积。

10.根据权利要求5的半导体结构的制备方法，其特征在于第一导电阻挡层阻挡半导体底材中的掺杂物扩散。