[发明专利]硬掩膜层结构及其制造方法和半导体器件制造方法有效

申请号：	201210109919.5	申请日：	2012-04-13
公开（公告）号：	CN103377886A	公开（公告）日：	2013-10-30
发明（设计）人：	邓浩;周鸣	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
主分类号：	H01L21/033	分类号：	H01L21/033;H01L21/768
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	屈蘅;李时云
地址：	201203 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	硬掩膜层结构及其制造方法半导体器件
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【权利要求书】：

1.一种硬掩膜层结构制造方法，其特征在于，包括：

提供一形成有含碳低K介质层的半导体衬底；

通过无氧等离子体增强沉积法在所述含碳低K介质层上形成第一TEOS硬掩膜层；以及

通过有氧等离子体增强沉积法在所述第一TEOS硬掩膜层上形成第二TEOS硬掩膜层。

2.如权利要求1所述的硬掩膜层结构制造方法，其特征在于，所述第一TEOS硬掩膜层的厚度为

3.如权利要求1所述的硬掩膜层结构制造方法，其特征在于，形成第一TEOS硬掩膜层的无氧等离子体增强沉积参数包括：TEOS的供应速率为100～300mg/min；He的气体流量为2000～4000sccm；Ar的气体流量为1000～2000sccm；高频射频功率为300～600瓦；低频射频功率为150～250瓦；处理压力为3～8torr。

4.如权利要求1所述的硬掩膜层结构制造方法，其特征在于，还包括：在所述第二TEOS硬掩膜层上沉积金属硬掩膜层。

5.如权利要求4所述的硬掩膜层结构制造方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层为TiN和/或TaN。

6.一种硬掩膜层结构，其特征在于，包括：

通过无氧等离子体增强沉积法形成的第一TEOS硬掩膜层；以及

通过有氧等离子体增强沉积法形成于第一TEOS硬掩膜层上的第二TEOS硬掩膜层。

7.如权利要求6所述的硬掩膜层结构，其特征在于，所述第一TEOS硬掩膜层的厚度为

8.如权利要求6所述的硬掩膜层结构，其特征在于，所述硬掩膜层结构还包括位于所述第二TEOS硬掩膜层上的金属硬掩膜层。

9.如权利要求8所述的硬掩膜层结构，其特征在于，所述金属硬掩膜层为TiN和/或TaN。

10.一种半导体器件制造方法，其特征在于，使用如权利要求1至5中任一项所述的硬掩膜层结构制造方法形成硬掩膜层结构。

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