[发明专利]半导体设备及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体设备，包括：

在衬底上的像素部分，包括至少一个p沟道薄膜晶体管和至少一个电镀的源布线：

在所述衬底上的驱动电路，包括至少第二和第三p沟道薄膜晶体管；以及

在所述衬底上的电镀的端子部分。

2.根据权利要求1的半导体设备，其中，用第二和第三p沟道薄膜晶体管形成EEMOS电路和EDMOS电路至少之一。

3.一种半导体设备，包括：

在衬底上形成的至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括在绝缘表面上的栅极，覆盖所述栅极的绝缘层，位于所述栅极上的沟道形成区，其间夹有绝缘层，与所述沟道形成区接触的源和漏区；

至少一个在所述绝缘表面上形成的源布线，其中，所述源布线包括第一导体和在所述第一导体的表面上形成的第二导体，其中，由所述绝缘层覆盖所述源布线；

至少在所述薄膜晶体管上形成的第一绝缘薄膜；

在第一绝缘薄膜上形成的第二绝缘薄膜；

在第二绝缘薄膜上形成的、连接所述源布线和所述薄膜晶体管的第一金属布线；

在第二绝缘薄膜上形成的、连接所述薄膜晶体管和存储电容器的第二金属布线；

包括透明电极并在第二绝缘薄膜上形成的像素电极，其中，所述像素电极电连接到所述薄膜晶体管；以及

在所述衬底上形成的电镀的端子。

4.一种半导体设备，包括：

在衬底上形成的至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括在绝缘表面上的栅极，覆盖所述栅极的绝缘层，位于所述栅极上的沟道形成区，其间夹有绝缘层，与所述沟道形成区接触的源和漏区；

至少一个在绝缘表面上形成的源布线，其中，所述源布线包括第一导体和在所述第一导体的表面上形成的第二导体，其中，由所述绝缘层覆盖所述源布线；

至少在所述薄膜晶体管上形成的第一绝缘薄膜；

在第一绝缘薄膜上形成的第二绝缘薄膜；

在第二绝缘薄膜上形成的、连接源布线、薄膜晶体管或存储电容器的金属布线；

在第二绝缘薄膜上形成的、连接所述薄膜晶体管和存储电容器的第二金属布线；以及

包括金属并在第二绝缘薄膜上形成的像素电极；以及

在所述衬底上形成的电镀的端子。

5.根据权利要求3或4的半导体设备，其中，第二导体包括至少一种从由Cu，Ag，Au，Cr，Fe，Ni，和Pt组成的组中选择的材料。

6.根据权利要求3或4的半导体设备，其中，所述端子部分和所述源布线被同时电镀。

7.根据权利要求3或4的半导体设备，其中，所述沟道形成区包括非晶体半导体，且源和漏区包括包含n型杂质的非晶体半导体。

8.一种显示设备，包括：

衬底；

在所述衬底上形成的源布线和栅极；

在所述源布线和所述栅极上形成的具有第一接触孔的第一绝缘薄膜；

在所述第一绝缘薄膜上形成的包含沟道形成区的第一非晶体半导体薄膜；

在所述第一非晶体半导体薄膜上形成的包含杂质元素的第二和第三非晶体半导体薄膜；

在所述第二非晶体半导体薄膜上形成的金属布线，其中所述金属布线经所述第一绝缘薄膜的第一接触孔将所述第二非晶体半导体薄膜电连接到所述源布线；

在所述源布线和所述第二和第三非晶体半导体薄膜上形成的具有第二接触孔的第二绝缘薄膜；以及

在所述第二绝缘薄膜上形成并经所述第二绝缘薄膜的所述第二接触孔电连接到所述第三非晶体半导体薄膜的像素电极。

9.根据权利要求8的显示设备，其中所述源布线包含金属薄膜。

10.根据权利要求8的显示设备，其中所述源布线包含与所述栅极相同的材料。

11.根据权利要求8的显示设备，还包括：

包括形成在所述第二绝缘薄膜和所述像素电极之间的有机绝缘材料的第三绝缘薄膜。

12.根据权利要求8的显示设备，其中所述显示设备是液晶显示设备。

13.根据权利要求8的显示设备，其中所述第一绝缘薄膜是栅绝缘薄膜。

14.根据权利要求8的显示设备，其中所述第一绝缘薄膜是硅氮化物薄膜。