[发明专利]半导体设备及其制造方法

说明书

本申请是发明名称为“半导体设备及其制造方法”、申请号为200810127926.1、申请日为2001年12月11日的中国发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明一般涉及一种包括由薄膜晶体管(以下称“TFT”)构成的电路的半导体设备，及其制造方法。更具体说，本发明针对通常称为液晶显示装置(亦即安装有液晶模块)的这样一种设备或类似设备，还涉及作为部件在其上安装有这种液晶显示器或类似设备的电子装置，本发明进一步针对这种装置的制造方法。

应该理解，术语“半导体设备”隐指可通过使用半导体特征操作的所有装置或设备，从而包括所有相应于在本发明的说明书中的半导体设备的所有光电装置、半导体设备、和电子装置。

背景技术

最近，对能够构造薄膜晶体管(TFT)这样的技术特别注意，同时使用在具有绝缘表面的衬底上形成的半导体薄膜(其厚度为几个毫微米到几百个毫微米)。薄膜晶体管广泛用于各种电子设备，诸如集成电路和光电装置。特别是有迅速发展这些薄膜晶体管作为图像显示装置的开关元件的强烈的需求。

传统上，液晶显示装置作为图像显示装置是公知的。因为可以得到高精确度图像，因此，与无源型液晶显示设备相比，通常使用大量有源矩阵型液晶显示设备。在有源矩阵型液晶显示设备中，因为驱动在以矩阵形式排列的象素电极，因此在显示屏幕上形成显示图案。更具体说，因为在选择的象素电极和一个相应于这一选择的象素电极的相反的电极之间施加电压，因此在选择的象素电极和相反电极之间排列的液晶层被光学调制，以便使这一光调制可以作为显示图案由观看者识别。

虽然这种有源矩阵型液晶显示设备广泛用于各种领域，但是仍然有对放大显示屏幕尺寸、实现高精确度、高孔径效率、和高可靠性的强烈需求。同时，强烈要求改进生产率和降低成本。

发明内容

根据本发明的一个方面，可以提供一种半导体设备，它甚至当放大显示屏幕时也能实现低功耗，还提供一种制造这种半导体设备的方法。

根据本发明的另一方面，诸如液晶显示设备的显示设备的特征在于，对象素部分的源布线表面通过电镀处理操作的方式处理，以便降低这一源布线的电阻值。该象素部分的源布线可以在与制造驱动电路部分的源布线的步骤不同的步骤制造。另外，这一显示设备的端子部分的电极可以通过电镀处理操作处理，以便降低其电阻值。

在根据本发明的一个方面的该显示设备中，虽然在电镀前通过使用和栅极同样的材料形成布线，但是这一布线的表面优选可以通过电镀处理操作处理，以便形成源布线。作为由电镀处理操作处理的材料薄膜，优选使用具有比栅极更低电阻值的材料薄膜。其结果，象素部分的源布线因为电镀处理操作可以成为具有低电阻值的布线。

在本发明的说明书中公开了具有下述结构的半导体设备：亦即装备有TFT的半导体设备，包含在一个绝缘表面上形成的半导体层、在该半导体层上形成的一个绝缘薄膜、和在该绝缘薄膜上形成的一个栅极，包括：

装备有第一n沟道型TFT的象素部分，具有源布线，其表面覆盖有具有比栅极电阻值(或电阻率)低的材料薄膜，而围绕布线用和栅极同样的材料制成；

装备有由第二n沟道型TFT和p沟道型TFT构造的电路的驱动电路；

端子部分，其表面覆盖有具有比栅极电阻值(或电阻率)低的材料薄膜，而围绕布线用和栅极同样的材料制成。

在上述半导体设备结构中，上述具有低电阻值的材料薄膜包含至少主要包含Cu，Al，Au，Ag，或这些元素的合金的一种材料。

另外，根据本发明的另一方面，一种半导体设备的特征在于装备有TFT的半导体设备，包含在一个绝缘表面上形成的半导体层、在该半导体层上形成的一个绝缘薄膜、和在该绝缘薄膜上形成的一个栅极，包括：

装备有第一n沟道型TFT的象素部分，具有源布线，其用电镀处理操作处理；

装备有由第二n沟道型TFT和p沟道型TFT构造的电路的驱动电路；

用电镀处理操作处理的端子部分。

在上述半导体设备结构中，端子部分的表面和象素部分的源布线的表面两者都用一种用主要包含Cu，Al，Au，Ag，或这些元素的一种合金的材料制成的材料制造的薄膜覆盖。

另外，在上述半导体设备结构中，端子部分和象素部分的源布线两者都单独地或同时用电镀处理操作处理。用电镀处理的源布线相应于用与栅极同样材料制成的电镀处理的布线。同样，电镀处理的源布线通过印刷处理操作的方式形成，另外，相应于具有比栅极低的电阻值的布线。