[发明专利]荧光反射片、发光二极管装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210111099.3 申请日: 2012-04-13
公开(公告)号: CN102738368A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 大薮恭也;伊藤久贵;西冈务;内藤俊树 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/60
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 荧光 反射 发光二极管 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及荧光反射片、发光二极管装置及其制造方法,详细来说,本发明涉及发光二极管装置的制造方法、用于该发光二极管装置的荧光反射片及利用发光二极管装置的制造方法获得的发光二极管装置。

背景技术

近年,作为能够发出高能量的光的发光装置,公知白色发光装置。在白色发光装置中例如设有二极管基板、层叠在该二极管基板上并发出蓝色光的LED(发光二极管)、能够将蓝色光变为黄色光并覆盖LED的荧光体层、用于密封LED的密封层。上述白色发光装置利用透过了密封层及荧光体层的蓝色光与在荧光体层中对一部分蓝色光进行波长变换而得到的黄色光的混色,发出高能量的白色光,该蓝色光是由被密封层密封且由二极管基板供给电的LED发出的。

作为制造上述白色发光装置的方法,例如,提出了下述方法(例如,参照日本特开2005-191420号公报)。

即,首先,形成由基板部和从该基板部的周部向上侧突出的白色的反射框部构成的基体,接下来,在基板部的中央处在由反射框部形成的凹部的底部上,以与反射框部的内侧隔有间隔的方式引线接合半导体发光元件。

接下来,利用涂敷在凹部中填充荧光体与液状的环氧树脂的混合物,接着,使荧光体自然沉降到凹部的底部,之后,使环氧树脂加热固化。

在利用日本特开2005-191420号公报所提出的方法而获得的白色发光装置中,由沉降形成的以高浓度含有荧光体的荧光体层(波长改变层)形成在半导体发光元件的上侧区域,以高浓度含有环氧树脂的密封部形成在荧光体层的上侧区域。

而且,在该白色发光装置中,半导体发光元件呈放射状发出蓝色光,其中,从半导体发光元件朝向上方发出的蓝色光的一部分在荧光体层处被改变为黄色光,并且使剩余部分的蓝色光透过荧光体层。此外,从半导体发光元件朝向侧方发出的蓝色光被反射框部反射,继续朝向上侧照射。于是,日本特开2005-191420号公报的白色发光装置利用上述蓝色光及黄色光的混色来发出白色光。

然而,在利用日本特开2005-191420号公报的制造方法获得的白色发光装置中,由于隔着间隔地配置半导体发光元件与反射框部,因此从半导体发光元件朝向侧方发出的光的一部分在被反射框部反射之前,被密封部吸收。其结果,存在降低光取出效率的不良情况。

发明内容

本发明的目的在于,提供能够提高光取出效率的发光二极管装置、该发光二极管装置的制造方法及用于该发光二极管装置的荧光反射片。

本发明的荧光反射片是用于将荧光体层设在发光二极管元件的厚度方向一侧、并将反射树脂层设在上述发光二极管元件的侧方的荧光反射片,其特征在于,该荧光反射片包括上述荧光体层及设在上述荧光体层的厚度方向一侧的表面上的上述反射树脂层,上述反射树脂层以与上述发光二极管元件的侧表面相对配置的方式与上述发光二极管元件相对应地形成。

若以使反射树脂层与基材相对配置并使荧光体层与发光二极管元件相对配置的方式将该荧光反射片层叠在基材上,则能够使反射树脂层与发光二极管元件的侧表面紧密贴合。

因此,在获得的发光二极管装置中,自发光二极管元件向侧方发出的光在被其它构件吸收之前被反射树脂层反射。

此外,能够利用自发光二极管元件发出的、利用荧光体层进行波长变换的光的混色来发出高能量的白色光。

其结果,能够提高光取出效率。

此外,本发明的发光二极管装置的制造方法的特征在于,该发光二极管装置的制造方法包括:通过将反射树脂层设在荧光体层的厚度方向一侧的表面上来准备上述荧光反射片的工序;将发光二极管元件设在基材的上述厚度方向一侧的表面上的工序;以贯穿上述厚度方向的方式在上述基材上形成贯穿孔的工序;以使上述反射树脂层与上述贯穿孔相对配置并使上述荧光体层与上述发光二极管元件的厚度方向一侧的表面相对配置的方式,将上述荧光反射片层叠在上述基材上的工序;对上述贯穿孔内进行减压的工序;使上述反射树脂层与上述发光二极管元件的侧表面紧密贴合的工序。

在该方法中,使反射树脂层与发光二极管元件的侧表面紧密贴合。因此,在获得的发光二极管装置中,自发光二极管元件向侧方发出的光在被其它构件吸收之前,被反射树脂层反射。

此外,由于使荧光体层与发光二极管元件的厚度方向一侧的表面相对配置,因此,能够利用自发光二极管元件向厚度方向一侧发出的、利用荧光体层进行波长变换的光的混色来发出高能量的白色光。

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