[发明专利]被动元件的结构无效
| 申请号： | 201210112128.8 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103165568A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李智渊;蔡硕文;黄耀贤;蔡俊毅 | 申请（专利权）人： | 钜永真空科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;李友佳 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 被动 元件 结构 | ||
1.一种被动元件的结构，其特征在于，包含：
一被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；
至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质为镍铬合金，该镍铬合金含有98wt％至33wt％的镍以及2wt％至67wt％的铬；以及，
至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
2.如权利要求1所述的被动元件的结构，其特征在于，更包含：
至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的材质和第一缓冲层相同；以及，
至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，其中该第二导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
3.如权利要求2所述的被动元件的结构，其特征在于，所述第一缓冲层与第二缓冲层由一沉积装置分别沉积于被动元件本体的第一表面和第二表面上，所述第一导电层与该第二导电层由该沉积装置分别沉积于第一缓冲层与第二缓冲层上。
4.如权利要求3所述的被动元件的结构，其特征在于，所述沉积装置至少具有一靶材，该靶材的材质是镍铬合金，该镍铬合金含有98wt％至33wt％的镍以及2wt％至67wt％的铬。
5.如权利要求1所述的被动元件的结构，其特征在于，所述被动元件是电容、突波吸收器、热敏电阻或压电陶瓷。
6.如权利要求1所述的被动元件的结构，其特征在于，所述被动元件本体的材质是陶瓷。
7.一种被动元件的结构，其特征在于，包含：
一被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；
至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质为镍钒合金，该镍钒合金含有99wt％至87wt％的镍以及1wt％至13wt％的钒；以及，
至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
8.如权利要求7所述的被动元件的结构，其特征在于，更包含：
至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的材质和第一缓冲层相同；以及，
至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，其中该第二导电层的材质为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。
9.如权利要求8所述的被动元件的结构，其特征在于，所述第一缓冲层与第二缓冲层由一沉积装置分别沉积于被动元件本体的第一表面上和第二表面上，所述第一导电层与该第二导电层由该沉积装置分别沉积于第一缓冲层与第二缓冲层上。
10.如权利要求9所述的被动元件的结构，其特征在于，所述沉积装置至少具有一靶材，该靶材的材质是镍钒合金，该镍钒合金含有99wt％至87wt％的镍以及1wt％至13wt％的钒。
11.如权利要求7所述的被动元件的结构，其特征在于，所述被动元件是电容、突波吸收器、热敏电阻或压电陶瓷。
12.如权利要求7所述的被动元件的结构，其特征在于，所述被动元件本体的材质是陶瓷。
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