[发明专利]被动元件的结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种被动元件的结构，特别是有关于一种具有预设重量百分比的金属薄膜的被动元件的结构。

背景技术

现今社会对于电子产品的依赖性日益提高，人们身边总是存在有电子产品，而电子产品内部更是具有电路。并且不论是简单电路，亦或是复杂电路，总是会包含基本的被动元件，例如电容于电路中可用以储存能量、更正功率因子以及作为滤波之元件。

并且，现今的电子产品体积日渐缩小，然而所要求的特性却日益提高，因此人们要求被动元件必须具有小体积以及稳定性。举例而言，习知电容中，陶瓷电容因以介电系数较大的陶瓷作为二导体间之介电材质，因此可在小体积中具有相对较大的电容量。但习知陶瓷电容的电性并不甚理想，且被动元件的结构本身的附着效果亦不甚理想。

发明内容

鉴于习知技艺的各项问题，为了能够兼顾解决之，本发明人基于多年研究开发与诸多实务经验，提出一种被动元件的结构，以作为改善上述缺点之实现方式与依据。

有鉴于上述习知技艺的问题，本发明目的就是在提供一种被动元件的结构，以解决习知被动元件的结构本身附着效果不佳的问题。

为达上述目的，本发明提供一种被动元件的结构，至少包含：

一被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；

至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质可为镍铬合金，该镍铬合金可含有约98wt％至约33wt％的镍以及约2wt％至约67wt％的铬；以及，

至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。

此外，本发明的被动元件的结构，更可包含：

至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的材质可和第一缓冲层相同；以及，

至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，其中该第二导电层的材质可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。

其中，第一缓冲层与第二缓冲层可由一沉积装置分别沉积于被动元件本体的第一表面和第二表面上，所述第一导电层与该第二导电层可由该沉积装置分别沉积于第一缓冲层与第二缓冲层上。

其中，沉积装置至少具有一靶材，该靶材的材质可为镍铬合金，该镍铬合金可含有约98wt％至约33wt％的镍以及约2wt％至约67wt％的铬。

另外，被动元件可为电容、突波吸收器、热敏电阻或压电陶瓷。

除此之外，被动元件本体的材质可为陶瓷。

本发明还提供了另一种被动元件的结构，至少包含：

一被动元件本体，所述被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；

至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的材质可为镍钒合金，该镍钒合金可含有约99wt％至约87wt％的镍以及约1wt％至约13wt％的钒；以及，

至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，其中该第一导电层的材质可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。

此外，本发明的被动元件的结构，更可包含：

至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的材质可和第一缓冲层相同；以及，

至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，其中该第二导电层的材质可为铜、锌、铝、银、铜合金或锌合金中的一种。

其中，第一缓冲层与第二缓冲层可由一沉积装置分别沉积于被动元件本体的第一表面上和第二表面上，所述第一导电层与该第二导电层可由该沉积装置分别沉积于第一缓冲层与第二缓冲层上。

其中，沉积装置至少具有一靶材，该靶材的材质可为镍钒合金，该镍钒合金可含有约99wt％至约87wt％的镍以及约1wt％至约13wt％的钒。

另外，被动元件可为电容、突波吸收器、热敏电阻或压电陶瓷。

除此之外，被动元件本体的材质是陶瓷。

因此，本发明被动元件的结构特点在于，由预设的第一缓冲层与第二缓冲层材质的重量百分比，藉以提升被动元件的特性。本发明的另一特点在于，由沉积第一缓冲层与第二缓冲层所使用靶材材质的重量百分比，藉以增加第一缓冲层与第二缓冲层的附着效果，进而避免第一导电层与第二导电层脱落。

附图说明

图1为本发明被动元件的结构侧面示意图。

图2为本发明被动元件的结构上视图。

图3为用以形成本发明被动元件的结构的溅镀装置剖面示意图。