[发明专利]一种SiBN块状陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 201210114820.4 | 申请日： | 2012-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102659411A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 余木火;刘振全;韩克清;彭雨晴;牟世伟;张婧;袁佳;王征辉;邓智华;孙泽玉;邱显星;唐彬彬;胡建建;贾军;周建军 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/626;C04B35/645;C04B35/64 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sibn 块状 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种SiBN块状陶瓷的制备方法，包括：
(1)将单体氮甲基硅氮硼烷BSZ在60-250℃，聚合5-70小时得到前驱体聚合物聚硅氮硼烷PBSZ；
(2)在活性气氛下，将上述前驱体聚合物聚硅氮硼烷PBSZ放入反应容器中，升温至150-600℃，保温2-50h，进行交联处理，得到交联后的前驱体；将上述交联后的前驱体经球墨粉碎1-5h，得到粒径＜200um交联的前驱体粉末；
(3)将上述交联的前驱体粉末进行热压成型，即在50-650℃、20-750Mpa压力下保温0.1-10h，然后降到室温，并在降温过程中逐渐释放压力，得到热压成型后的样品；(4)在活性气氛下，升温至500-2000℃，将上述热压成型后的样品进行高温烧结，保温0.1-50h，然后降至室温，即得。
2.根据权利要求1所述的一种SiBN块状陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(1)～(4)所述的操作过程均在无水无氧的环境中进行。
3.根据权利要求1所述的一种SiBN块状陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的活性气氛为高纯氨气。
4.根据权利要求1所述的一种SiBN块状陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的升温的升温速率为0.1-20℃/min。
5.根据权利要求4所述的一种SiBN块状陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(2)中所述的升温的升温速率为3.0-10.0℃/min。
6.根据权利要求1所述的一种SiBN块状陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述的活性气氛为高纯氨气。
7.根据权利要求1所述的一种SiBN块状陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述的升温的升温速率为0.1-20℃/min。
8.根据权利要求1所述的一种SiBN块状陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所述的升温的升温速率1.0-5.0℃/min。
9.根据权利要求1所述的一种SiBN块状陶瓷的制备方法，其特征在于：步骤(4)中所得的SiBN块状陶瓷的碳的质量含量小于1％。
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