[发明专利]非易失性半导体器件有效
申请号: | 201210115758.0 | 申请日: | 2012-04-19 |
公开(公告)号: | CN102750984B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 崔大一;朴进寿;李在浩;刘炳晟 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/24 | 分类号: | G11C16/24;G11C16/30 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 俞波,郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 半导体器件 | ||
1.一种非易失性存储器器件,包括:
多个全局字线;
电压泵,配置为生成具有不同电压电平的多个电压;
控制单元,配置为响应于输入行地址而将所述多个全局字线划分成第一组和第二组,并生成至少第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号用于施加对应于所述第一组和所述第二组的电压;
第一选择单元,配置为响应于所述第一控制信号而输出由所述电压泵生成的所述多个电压中的、要施加到所述第一组的全局字线的至少两个不同电压;
第二选择单元,配置为响应于所述第二控制信号而输出由所述电压泵生成的所述多个电压中的、要施加到所述第二组的全局字线的电压;以及
第三选择单元,配置为响应于所述第三控制信号而向所述第一组的全局字线施加所述第一选择单元的输出电压并向所述第二组的全局字线施加所述第二选择单元的输出电压。
2.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件,其中,所述控制单元配置为将与对应于所述输入行地址的全局字线最靠近的所述多个全局字线中的全局字线和对应于所述输入行地址的全局字线设置为所述第一组,并将其余全局字线设置为所述第二组。
3.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件,其中,所述第一组的全局字线包括与对应于所述输入行地址的全局字线相邻的多个全局字线以及与所述输入行地址对应的全局字线,所述第二组的全局字线包括除了所述第一组的全局字线以外的其余全局字线。
4.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件,其中,所述第一选择单元包括:
多个第一开关单元,分别对应于所述第一组的全局字线,
其中,每个所述第一开关单元接收由所述电压泵生成的所述多个电压,并根据对应于每个第一开关单元的全局字线与由所述输入行地址选择的全局字线之间的距离选择和输出由所述电压泵生成的所述多个电压中的一个电压。
5.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件,其中,所述第二选择单元包括:
第二开关单元,配置为接收由所述电压泵生成的所述多个电压,并选择和输出所述多个电压中的要共同提供给所述第二组的全局字线的一个电压。
6.根据权利要求4所述的非易失性存储器器件,其中,所述第三选择单元包括:
多个第三开关单元,分别连接到所述多个全局字线,
其中,每个所述第三开关单元接收所述第一选择单元的输出电压中的一个和所述第二选择单元的输出电压,并响应于所述第三控制信号而将两个输入电压中的一个施加到所连接的全局字线。
7.根据权利要求6所述的非易失性存储器器件,其中,所述第一选择单元中的所述第一开关单元的数目为N,所述第三选择单元包括多个开关组,所述多个开关组分别包括N个第三开关单元,并且每个开关组中的所述N个第三开关单元分别对应于所述N个第一开关单元。
8.根据权利要求1所述的非易失性存储器器件,其中,所述第一选择单元输出至少两个不同电压用于向与通过所述输入行地址选择的全局字线相邻的相邻字线施加通过电压。
9.一种非易失性存储器器件,包括:
电压泵,配置为生成具有不同电压电平的多个电压;
N个第一开关单元,配置为响应于输入行地址而选择由所述电压泵生成的所述多个电压中的一个并将所选电压作为第一组电压输出;
第二开关单元,配置为选择由所述电压泵生成的所述多个电压中的一个并将所选电压作为第二组电压输出;
多个开关组,分别包括N个第三开关单元;以及
多个全局字线,分别连接到所述第三开关单元,
其中,所述多个开关组的每个开关组中包括的所述N个第三开关单元分别对应于所述N个第一开关单元,响应于所述输入行地址而选择所述第一组电压或所述第二组电压,并将所选电压施加到所连接的全局字线。
10.根据权利要求9所述的非易失性存储器器件,其中,所述N个第一开关单元中的每一个接收由所述电压泵生成的所述多个电压,并根据对应于每个第一开关单元的全局字线与通过所述输入行地址选择的全局字线之间的距离来选择和输出由所述电压泵生成的所述多个电压中的一个。
11.根据权利要求9所述的非易失性存储器器件,其中,所述第二开关单元配置为接收由所述电压泵生成的所述多个电压,并配置为选择和输出所述多个电压中的要共同提供给第二组的全局字线的一个电压。
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